一、試驗及標(biao)準
1、試驗目的：常見 低氣壓(ya)試驗 的試驗目的通常(chang)有3種(zhong)：
1）確定產品在(zai)常溫(wen)條件下能否(fou)耐受低氣壓環境(jing)，在(zai)低氣壓環境(jing)下正常工作．以及耐受空氣壓力(li)(li)快速變(bian)化的能力(li)(li)。
2）確(que)定(ding)常溫條件下(xia)元件和材料在低氣(qi)(qi)壓下(xia)耐(nai)電(dian)擊穿的能(neng)力，確(que)定(ding)密(mi)封元件耐(nai)受氣(qi)(qi)壓差(cha)不被破壞的能(neng)力，確(que)定(ding)低氣(qi)(qi)壓對元件工(gong)作特性(xing)的影(ying)響。
3）確定元器件(jian)和(he)材料在氣壓減小(xiao)時，由于空氣和(he)其他(ta)絕緣材料的(de)絕緣強度(du)減弱抗電擊穿失效的(de)能(neng)力。

    二、參考標準
1） G J B 150．2A一2009《軍用裝備(bei)實驗(yan)室環境試(shi)驗(yan)方法第二部(bu)分低氣壓( 高度） 試(shi)驗(yan)》;
2） G J B 360B一2009《電(dian)子及電(dian)氣元件試(shi)驗(yan)方(fang)法方(fang)法105低氣壓試(shi)驗(yan)》( 等效美軍標M IL—STD一202F） ;
3） G J B 548B一2005《微電子器件試驗方(fang)(fang)法(fa)和程(cheng)序方(fang)(fang)法(fa)1001低氣壓(ya)( 高空作業） 》標M IL—STD一883D）;
4） G B2421—2008《電工電子產(chan)品基本環境試驗總(zong)則(ze)》;
5） G B／T 2423，21—2008《電工電子產品基本(ben)環境試(shi)驗規程試(shi)驗M 低氣壓(ya)試(shi)驗方法(fa)》；
6） G B／T 2423．25—2008《電工(gong)電子產品(pin)基(ji)本環境試(shi)驗規程試(shi)驗Z／AM 低溫／低氣壓(ya)綜合試(shi)驗方法;
7）G B／T 2423、26—2008《電(dian)工電(dian)子(zi)產品基(ji)本環境試驗(yan)規程試驗(yan)Z／BM 高溫／低氣(qi)壓綜合試驗(yan)方法》；
8） G B2423．27—2005《電工(gong)電子(zi)產(chan)品基(ji)本環境試驗(yan)規程試驗(yan)Z／AM  D 高溫／低氣壓綜合試驗(yan)方(fang)法》；
9） G B／T 2424．15—2008《電工電子產品(pin)基本(ben)環(huan)境試驗規程》。

    3、試驗條(tiao)件：
1）試驗氣壓
GJB 548共列出了A、B、C、D、E、F、G7個不同條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)下的(de)(de)高(gao)(gao)度(du)(du)氣(qi)(qi)(qi)壓(ya)(ya)(ya)值(zhi)(zhi)，并且(qie)所給(gei)出的(de)(de)試(shi)驗(yan)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)有(you)(you)一(yi)定(ding)的(de)(de)規(gui)(gui)律(lv)性，隨著飛行(xing)高(gao)(gao)度(du)(du)由(you)低到(dao)(dao)高(gao)(gao)，氣(qi)(qi)(qi)壓(ya)(ya)(ya)值(zhi)(zhi)由(you)大變小；GJB 360給(gei)出了A、B、C、D、E、F、G、H、I、J 10個不同條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)下的(de)(de)高(gao)(gao)度(du)(du)氣(qi)(qi)(qi)壓(ya)(ya)(ya)值(zhi)(zhi)，并且(qie)所列的(de)(de)高(gao)(gao)度(du)(du)-氣(qi)(qi)(qi)壓(ya)(ya)(ya)表中的(de)(de)試(shi)驗(yan)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)由(you)A到(dao)(dao)試(shi)驗(yan)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)E有(you)(you)一(yi)定(ding)的(de)(de)規(gui)(gui)律(lv)性，隨著飛行(xing)高(gao)(gao)度(du)(du)由(you)低到(dao)(dao)高(gao)(gao)，氣(qi)(qi)(qi)壓(ya)(ya)(ya)值(zhi)(zhi)由(you)大變小，而由(you)試(shi)驗(yan)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)F到(dao)(dao)試(shi)驗(yan)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)J沒有(you)(you)呈(cheng)現規(gui)(gui)律(lv)性。與(yu)GJB 548所列的(de)(de)試(shi)驗(yan)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)對(dui)比(bi)，GJB 360試(shi)驗(yan)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)增加(jia)了條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)H到(dao)(dao)試(shi)驗(yan)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)J，對(dui)應的(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)壓(ya)(ya)(ya)高(gao)(gao)度(du)(du)條(tiao)(tiao)件(jian)(jian)分(fen)別為：H：3 000m 70kPa；J：18 000m，7、6kPa；K：25 000m, 2、5 kPa。
2）試驗時間
GJB 360B-2009規定：
若無其他(ta)規定，試(shi)驗(yan)樣品在低氣(qi)壓條件下(xia)(xia)的(de)試(shi)驗(yan)時間，可(ke)從下(xia)(xia)列數值(zhi)中(zhong)選取：
5min、30min、1h、2h、4h和(he)16h。

3）升(sheng)降壓速率

通(tong)常不(bu)大于10kPa/min

三、試驗(yan)設備
低氣壓試驗的主要設(she)備為 高低溫低氣壓試驗箱 。可以在高(gao)低溫(wen)低氣壓(ya)單(dan)項或(huo)同時作(zuo)用下，進行(xing)貯存(cun)運輸可靠性(xing)試驗(yan)，并可同時對試件通電(dian)進行(xing)電(dian)氣性(xing)能(neng)參(can)數的測試。

四、問題(ti)與措施(shi)

1、問題(ti)
在低氣壓試驗中元器件可能暴露的缺陷有：絕(jue)緣（電離、放電和(he)介質(zhi)損耗(hao)）和(he)結(jie)熱缺陷。
2、措施
1）針(zhen)對在低(di)氣壓情(qing)況下，容易(yi)產生放(fang)電現象(xiang)，需加強絕緣電極及表(biao)面的(de)絕緣性，灌封工藝是一個有效的(de)解決辦法。
2）元器件的(de)熱設(she)計要充(chong)分考慮低氣壓(ya)帶來的(de)溫升(sheng)問題。