JESD22-A102封裝IC（芯片）無偏壓高壓蒸煮試驗.jpg

    本(ben)(ben)測試(shi)方法主要用于(yu)耐濕性(xing)評估和強健性(xing)測試(shi)。樣品放置于(yu)一個高壓(ya)、高濕環境(jing)下，在壓(ya)力下濕氣進入封(feng)裝，使(shi)弱點暴露(lu)，如(ru)分(fen)層、金屬腐(fu)蝕。本(ben)(ben)測試(shi)用于(yu)評估新封(feng)裝或封(feng)裝材料(liao)變更（塑封(feng)料(liao)、芯片(pian)鈍(dun)化層）或設計變更（如(ru)芯片(pian)、觸點尺(chi)寸(cun)）。但本(ben)(ben)試(shi)驗不(bu)應用于(yu)基于(yu)封(feng)裝的(de)層壓(ya)板或膠(jiao)帶(dai)，如(ru)FR4材料(liao)、聚酰亞(ya)胺(an)膠(jiao)帶(dai)等(deng)。
    運行本試驗和(he)評估(gu)試驗結(jie)果(guo)須考慮一些注意事(shi)項。失效機(ji)制，內(nei)部和(he)外部的，可(ke)能產(chan)生于不(bu)符合(he)預期使用(yong)條件(jian)。大(da)(da)多半(ban)導(dao)體元(yuan)件(jian)在應用(yong)時(shi)不(bu)會超過95%濕(shi)度，包(bao)括壓(ya)縮濕(shi)氣(qi)如下雨(yu)或(huo)霧(wu)。高溫(wen)高濕(shi)和(he)高壓(ya)的綜合(he)可(ke)能產(chan)生非(fei)現實(shi)的材(cai)料失效因為吸濕(shi)對大(da)(da)多數(shu)塑料材(cai)料會降低玻璃化溫(wen)度。高壓(ya)蒸(zheng)煮試驗結(jie)果(guo)推斷應小心。
    無偏高壓蒸煮試驗的(de)目的(de)在于用壓縮濕(shi)(shi)氣(qi)或飽和濕(shi)(shi)氣(qi)環境下，評估非氣(qi)密性(xing)封裝固態元件的(de)抗濕(shi)(shi)性(xing)。這是一個采用壓力、濕(shi)(shi)度(du)、濕(shi)(shi)度(du)條件的(de)高加速試驗，在高壓條件下加速濕(shi)(shi)氣(qi)滲透到外(wai)外(wai)部(bu)保護物(wu)料（塑(su)封料或絲印）或沿外(wai)保護物(wu)料與(yu)金屬導電層之間界面滲入。本測試用于識別封裝內部(bu)的(de)失效機制，并(bing)且是破壞性(xing)的(de)。

2、設備

    本測試要求一個可維持規定溫度和濕度的PCT高壓蒸煮試驗箱。
    2.1記錄
    建(jian)議每(mei)個測(ce)試循環有一套溫度曲線記(ji)錄，以便驗證應力條件。
    2.2應力儀器
    應力儀器不近于內(nei)部箱(xiang)表面3cm,不能直接受熱。
    2.3離(li)子污染
    測(ce)試工件不應受到離子污染。
    2.4蒸餾(liu)水或去離(li)子(zi)水
    小1M.cm電(dian)阻

3、測試條件

測試(shi)條(tiao)件包括溫(wen)度、濕度、蒸氣(qi)壓和時(shi)間

PCT高壓蒸煮試驗箱溫濕度壓力

    注1公差應用于整個可用的試驗(yan)區域。
    注2試(shi)驗(yan)條件(jian)應(ying)持續施加，除去中(zhong)間讀(du)數點。對中(zhong)間讀(du)數點，器件(jian)件(jian)應(ying)在5.2規(gui)定時間內返(fan)回加壓(ya)。
    注3本(ben)文件(jian)(jian)之前的版本(ben)規定以下試驗條件(jian)(jian)。
    條件(jian)A：24hrs（-0，+2）
    條件(jian)B：48hrs（-0，+2）
    條件(jian)C：96hrs（-0，+5）
    條件(jian)D：168hrs（-0，+5）
    條件E：240hrs（-0，+8）
    條(tiao)件F：336hrs（-0，+8）
    試驗(yan)時(shi)間由內部(bu)鑒(jian)定要求(qiu)、JESD47或(huo)適用(yong)的程序文件(jian)規定。典型為96小時(shi)。
  注意：對塑封微電路(lu)，濕氣(qi)會降低(di)塑封料(liao)的(de)(de)有(you)效的(de)(de)玻璃(li)化溫(wen)度。在有(you)效的(de)(de)玻璃(li)化溫(wen)度之(zhi).上的(de)(de)應力溫(wen)度可(ke)能(neng)導致與操作使用相關(guan)的(de)(de)失(shi)效機理。

4、程序

    受試器件(jian)應(ying)以一定方式固定，暴(bao)露在(zai)規定的溫度(du)、濕度(du)條件(jian)下(xia)(xia)。應(ying)避免元件(jian)置于100℃以上(shang)和(he)小于10%R.H.濕度(du)的環境中，特(te)別(bie)是(shi)上(shang)升、下(xia)(xia)降和(he)先期測量(liang)干燥(zao)期間。上(shang)升和(he)下(xia)(xia)降時(shi)(shi)間應(ying)分別(bie)小于3小時(shi)(shi)。在(zai)設備控制和(he)冷卻程(cheng)序(xu)時(shi)(shi)要特(te)別(bie)小心防止受試器件(jian)受到破壞性的降壓。確保減少污染，經常清潔試驗腔(qiang)體。
    4.1試(shi)驗周期
    溫度(du)和相(xiang)對濕度(du)達到第4條規定的設(she)定點啟動試驗計時，并(bing)在下降開(kai)始點停(ting)止計時。
    4.2測試
    電測(ce)(ce)試(shi)應在下降(jiang)結束降(jiang)到(dao)室溫不早于(yu)2小(xiao)(xiao)時(shi)(shi)(shi)，不超過48小(xiao)(xiao)時(shi)(shi)(shi)內(nei)進行。對于(yu)中間測(ce)(ce)量，在下降(jiang)階段結束后96小(xiao)(xiao)時(shi)(shi)(shi)內(nei)器件(jian)恢(hui)復(fu)應力。器件(jian)從(cong)高壓蒸(zheng)煮試(shi)驗(yan)(yan)箱移出后,可以(yi)通過把器件(jian)放入(ru)密封的潮濕袋(無(wu)干燥劑)中來減(jian)小(xiao)(xiao)器件(jian)的潮氣釋(shi)放速率(lv)。當器件(jian)放入(ru)密封袋時(shi)(shi)(shi)，測(ce)(ce)試(shi)時(shi)(shi)(shi)間計時(shi)(shi)(shi)以(yi)器件(jian)暴露于(yu)實(shi)驗(yan)(yan)室環境中潮氣釋(shi)放速率(lv)的1/3來計算。這樣通過把器件(jian)裝入(ru)潮氣密封袋中測(ce)(ce)試(shi)時(shi)(shi)(shi)間可延(yan)(yan)長到(dao)144小(xiao)(xiao)時(shi)(shi)(shi)，壓力恢(hui)復(fu)時(shi)(shi)(shi)間也延(yan)(yan)長到(dao)288小(xiao)(xiao)時(shi)(shi)(shi)。
    4.3處(chu)理
    應(ying)使用消除任何來源的(de)附帶污(wu)染(ran)或靜電放電損壞的(de)手環，處理器件(jian)和(he)測(ce)試(shi)夾具。在本(ben)試(shi)驗和(he)任何高(gao)加速濕氣應(ying)力(li)試(shi)驗中(zhong)，污(wu)染(ran)控(kong)制(zhi)是重要的(de)。

5、失效判據

如(ru)果試驗后，器(qi)(qi)件參數超過極限值，或(huo)按適用的采購(gou)文件和數據(ju)表中規(gui)定的正常和極限環(huan)境中不(bu)能驗證其功能時，器(qi)(qi)件視(shi)為失效。由于外部封(feng)裝損傷造成的電失效不(bu)作為失效標準考(kao)慮范圍。