例1:待測器件經過1，000小時溫度循環試驗后測試結果顯示電性為開路狀態。通過不良品分析實驗，剝離器件外部塑封膠后發現晶片與框架焊接過程中所使用銀漿在與晶片背面的焊接區域出現斷裂狀態(圖1)。通常半導體器件焊接所使用的銀漿的成分為錫/銀/銅，晶片的基材為硅。焊接過程中焊接溫度的設定，銀漿量的控制，晶片的柔片次數，塑封膠注人的壓力等都會對產品的終可靠性造成影響。當器件處于極端溫度變差及輸入偏壓開關模式下，器件在薄弱的不同介質結合面會出現開路狀況，從而造成器件整體功能或電路模塊的失效。如果各種材料在高低溫下通過各自的膨脹系數所產生的應力沒有通過結合面之間的綬沖結構得到釋放，這種影響可能會通過銀漿的結合面將應力傳導到器件為脆弱的晶片內部，造成芯片內部的物理損傷，隨著實驗時間的集聚，終造成電性的不良，嚴重的情況下會顯示出晶片的斷裂或燒毀。