半導體高溫儲存試驗測試標準
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瑞凱儀(yi)器
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發(fa)布(bu)日期： 2020.06.11
國際標(biao)準分(fen)類(lei)中，半(ban)導(dao)體高溫儲(chu)存試(shi)驗涉及到半(ban)導(dao)體分(fen)立(li)器件。
在中國(guo)標(biao)準分(fen)類中，半導體高溫儲存試驗(yan)涉(she)及到半導體分(fen)立(li)器件綜合、電(dian)力半導體器件、部件。
國際電工委員會，關于半導體 高溫儲存試驗(yan)的標準
IEC 60749-6-2017 半導體器(qi)件(jian).機械(xie)和氣(qi)候(hou)試(shi)驗(yan)方法.第6部分:高(gao)溫下儲存
IEC 60749-6-2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下(xia)儲存
IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲(chu)存
IEC 60749-6-2002 半導體器(qi)件.機械(xie)和氣(qi)候試驗方(fang)法.第6部(bu)分:高溫下儲存
韓國(guo)標準，關(guan)于半導體 高溫儲存試(shi)驗的標準
KS C IEC 60749-6-2004 半導(dao)體器件.機械和氣候試(shi)驗方法.第6部分:高(gao)溫下(xia)儲存
德國標(biao)(biao)準(zhun)化學會，關于半導體(ti) 高溫儲存試驗的標(biao)(biao)準(zhun)
DIN EN 60749-6-2003 半導體器件.機(ji)械和(he)氣(qi)候試(shi)驗方(fang)法.第6部分:高溫儲存
法國標準化協會，關(guan)于(yu)半導體 高溫(wen)儲存試(shi)驗的(de)標準
NF C96-022-6-2002
半導體裝(zhuang)置.機(ji)械和氣(qi)候試驗(yan)方法(fa).第6部(bu)分:高溫下(xia)儲存
英國標準(zhun)學會，關于(yu)半導體 高溫儲(chu)存(cun)試驗的標準(zhun)
BS EN 60749-6-2002 半導(dao)體器件.機械(xie)和氣(qi)候試驗(yan)方法.高溫下儲存(cun)
歐洲電工標準(zhun)化委(wei)員會，關于半導(dao)體 高溫(wen)儲(chu)存(cun)試驗的標準(zhun)
EN 60749-6-2002 半導體器(qi)件.機械和氣候試驗(yan)方法.第6部分:高(gao)溫下儲存(cun) 部分替(ti)代(dai)EN 60749-1999+A1-2000+A2-2001;IEC 60749-6-2002
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