熱門關鍵詞: 高低溫試驗箱 恒溫恒濕試驗箱 步入式恒溫恒濕實驗室 高壓加速老化試驗箱 冷熱沖擊試驗箱
隨著生(sheng)產(chan)工藝(yi)的(de)(de)逐步提(ti)高,IEC 61215 所測試(shi)(shi)的(de)(de)量已不足(zu)以考驗組件的(de)(de)耐候性,也(ye)無法模擬或探(tan)索(suo)出(chu)組件在(zai)戶(hu)(hu)外(wai)實際所經受的(de)(de)失效形式(shi)。根據TüV 的(de)(de)分析,熱(re)斑(ban)測試(shi)(shi)、濕(shi)(shi)凍(dong)測試(shi)(shi)、濕(shi)(shi)熱(re)測試(shi)(shi)這(zhe)3 種測試(shi)(shi)的(de)(de)失效率,如圖1 所示。組件熱(re)斑(ban)現(xian)象機理較明(ming)晰,在(zai)戶(hu)(hu)外(wai)出(chu)現(xian)熱(re)斑(ban)的(de)(de)情況較少(shao),即使有也(ye)多出(chu)現(xian)在(zai)早晚輻(fu)照不強(qiang)時,易避免(mian)。所以,組件的(de)(de)濕(shi)(shi)凍(dong)及濕(shi)(shi)熱(re)試(shi)(shi)驗是對組件考驗的(de)(de)兩(liang)(liang)個因素(su),本文針對這(zhe)兩(liang)(liang)個因素(su),在(zai)IEC61215 標準的(de)(de)基礎上展開深入的(de)(de)測試(shi)(shi)研究(jiu)。
收集同一(yi)個(ge)廠家同一(yi)批次生(sheng)產的4 塊組(zu)件( 該(gai)類型組(zu)件由60 片多晶硅太(tai)陽(yang)電池片組(zu)成),并將其編號(hao)。1# 和(he)2# 組(zu)件用(yong)(yong)于DH2500 試驗,每(mei)500 h 取出測一(yi)次功(gong)率(lv)及(ji)EL;3# 和(he)4# 用(yong)(yong)于HF100 測試,每(mei)10 個(ge)循(xun)環測一(yi)次功(gong)率(lv)及(ji)EL。首(shou)先(xian)將組(zu)件同時接受光(guang)輻照(zhao)5 kWh/m2 的預處理,預處理之后測得的功(gong)率(lv)如(ru)表1 所示。
得到預處理后的功率數據后,試驗設計過程如圖2 所示。將1# 和2# 組件置于高低溫交變濕熱試驗箱中(zhong),設(she)置(zhi)濕(shi)度(du)85% 和(he)溫度(du)85 ℃的試驗條件(jian),每500h 取(qu)出組(zu)件(jian)進行(xing)(xing)功率和(he)EL 檢測;將(jiang)3# 和(he)4# 組(zu)件(jian)置(zhi)于(yu)濕(shi)凍環(huan)境箱中(zhong),設(she)置(zhi)RH 85% 和(he)-40~85℃的溫度(du)循環(huan),單個循環(huan)周(zhou)期(qi)為(wei)24 h,每10 個循環(huan)取(qu)出組(zu)件(jian)進行(xing)(xing)功率和(he)EL 檢測。
濕熱試驗后,組(zu)件功率衰減較少,兩(liang)塊組(zu)件終衰減都在2.5% 左(zuo)右。功率衰減與串聯電(dian)阻的增(zeng)大正相關,FF 變化不(bu)明顯。
圖(tu)5 為3# 和4# 組件( 均為HF100) 功率衰(shuai)減(jian)(jian)、串聯電阻(zu)及(ji)填(tian)充因(yin)子FF 的變化情況。濕凍試驗的組件功率前期(qi)衰(shuai)減(jian)(jian)較少、后期(qi)較多,整體呈冪函數(shu)趨勢(shi)。隨著組件功率的衰(shuai)減(jian)(jian),串聯電阻(zu)呈現(xian)出明顯的正相關趨勢(shi),而FF則(ze)呈現(xian)出負(fu)相關的趨勢(shi)。
1) 對于(yu)濕(shi)熱試驗(yan):如表(biao)3 所(suo)(suo)示,兩塊組件(jian)濕(shi)熱試驗(yan)恢復1 年后(hou),FF 都下降(jiang)了(le),這與(yu)串(chuan)聯(lian)電(dian)(dian)(dian)阻增(zeng)大導致FF 下降(jiang)相一(yi)(yi)致。由(you)于(yu)串(chuan)聯(lian)電(dian)(dian)(dian)阻的(de)增(zeng)大,功率點(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)壓Vmp 降(jiang)低。但是(shi)短路(lu)電(dian)(dian)(dian)流Isc的(de)變(bian)(bian)(bian)化(hua)(hua)是(shi)不(bu)隨組件(jian)焊帶的(de)腐蝕等因素變(bian)(bian)(bian)化(hua)(hua)的(de),正(zheng)如開路(lu)電(dian)(dian)(dian)壓Voc 無變(bian)(bian)(bian)化(hua)(hua)一(yi)(yi)樣,Isc 的(de)變(bian)(bian)(bian)化(hua)(hua)與(yu)輻照強度及禁(jin)帶寬度有關(guan),但是(shi)Voc 幾乎(hu)未(wei)變(bian)(bian)(bian),電(dian)(dian)(dian)池外觀也無較(jiao)大改變(bian)(bian)(bian),所(suo)(suo)以(yi)禁(jin)帶寬度未(wei)發(fa)生變(bian)(bian)(bian)化(hua)(hua)。Isc的(de)變(bian)(bian)(bian)化(hua)(hua)在于(yu)輻照強度,但測試儀器是(shi)同(tong)(tong)一(yi)(yi)臺且都經過標定(ding),那么原因很有可能來自(zi)于(yu)組件(jian)正(zheng)面的(de)水汽(qi)導致玻璃和(he)EVA 透光率的(de)變(bian)(bian)(bian)化(hua)(hua),當靜置后(hou)水汽(qi)蒸發(fa),透光率增(zeng)大,輻照量增(zeng)強,所(suo)(suo)以(yi)Isc 增(zeng)大。同(tong)(tong)樣,功率點(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)流Imp 增(zeng)大,但Vmp 減小,所(suo)(suo)以(yi)組件(jian)的(de)功率P=VmpImp 未(wei)改變(bian)(bian)(bian)。
2) 對(dui)于濕(shi)凍(dong)試(shi)驗:表(biao)(biao)4 為(wei)濕(shi)凍(dong)試(shi)驗及恢復后組(zu)(zu)件(jian)(jian)各電(dian)(dian)(dian)(dian)學參數,由表(biao)(biao)4 可(ke)知,功率(lv)點電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)Vmp降(jiang)低,功率(lv)點電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)Imp增(zeng)(zeng)大(da)(da)(da),短路電(dian)(dian)(dian)(dian)流Isc增(zeng)(zeng)大(da)(da)(da),開路電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)Voc 變化(hua)輻度很(hen)小,可(ke)認(ren)為(wei)不變。但功率(lv)P 卻(que)有大(da)(da)(da)量的(de)(de)恢復,原(yuan)因就(jiu)在于并(bing)聯電(dian)(dian)(dian)(dian)阻Rsh 明(ming)顯增(zeng)(zeng)大(da)(da)(da)(表(biao)(biao)明(ming)漏(lou)電(dian)(dian)(dian)(dian)流減少了(le)),Isc 和Imp 的(de)(de)增(zeng)(zeng)量也較(jiao)大(da)(da)(da),推測這是濕(shi)氣(qi)(qi)的(de)(de)蒸(zheng)(zheng)發(fa)所(suo)致。但是同樣的(de)(de)蒸(zheng)(zheng)發(fa),濕(shi)熱試(shi)驗卻(que)未出現功率(lv)恢復和并(bing)聯電(dian)(dian)(dian)(dian)阻增(zeng)(zeng)大(da)(da)(da),說明(ming)除了(le)濕(shi)氣(qi)(qi)蒸(zheng)(zheng)發(fa)、組(zu)(zu)件(jian)(jian)正面透光率(lv)上升之外,還有其他原(yuan)因。濕(shi)熱和濕(shi)凍(dong)試(shi)驗后兩(liang)種組(zu)(zu)件(jian)(jian)外觀并(bing)未發(fa)生改變,但是試(shi)驗過程中濕(shi)凍(dong)試(shi)驗是通40 μA電(dian)(dian)(dian)(dian)流的(de)(de),電(dian)(dian)(dian)(dian)流在大(da)(da)(da)量濕(shi)氣(qi)(qi)進入組(zu)(zu)件(jian)(jian)的(de)(de)情況(kuang)下,很(hen)有可(ke)能使焊帶出現漏(lou)電(dian)(dian)(dian)(dian)通道,導(dao)致組(zu)(zu)件(jian)(jian)并(bing)聯電(dian)(dian)(dian)(dian)阻減小,功率(lv)快速下降(jiang),表(biao)(biao)5 中濕(shi)凍(dong)試(shi)驗HF90和HF100 過程中對(dui)應組(zu)(zu)件(jian)(jian)功率(lv)大(da)(da)(da)幅(fu)的(de)(de)衰減就(jiu)很(hen)可(ke)是這個原(yuan)因造成的(de)(de)。綜上所(suo)述(shu),濕(shi)氣(qi)(qi)、電(dian)(dian)(dian)(dian)流、溫(wen)度及溫(wen)度循(xun)環4 個條件(jian)(jian)共同造成濕(shi)凍(dong)組(zu)(zu)件(jian)(jian)焊帶出現漏(lou)電(dian)(dian)(dian)(dian)通道,導(dao)致組(zu)(zu)件(jian)(jian)并(bing)聯電(dian)(dian)(dian)(dian)阻增(zeng)(zeng)大(da)(da)(da),功率(lv)減小。
從(cong)圖6 的(de)(de)EL 圖像可看出,紅色圈出部(bu)分(fen)出現了明顯的(de)(de)明暗片、連接處腐(fu)蝕或串聯電(dian)阻增大(da)的(de)(de)現象。這表明從(cong)HF90 到HF100 功率大(da)幅衰(shuai)減的(de)(de)原(yuan)因除了漏電(dian)通道外,就(jiu)是串聯電(dian)阻的(de)(de)增大(da)和電(dian)池(chi)間的(de)(de)失配。
2.21#、3# 組件加量環境試驗
對1#、3# 組件(jian)加(jia)量環(huan)境(jing)試驗(yan),得(de)到(dao)結(jie)果見表(biao)6。由(you)表(biao)6 可知,1)兩塊組件(jian)短路電流Isc 在試驗(yan)后(hou)都下降了,開路電壓Voc 變化很(hen)小,可認為不(bu)變,驗(yan)證(zheng)了之(zhi)前所說(shuo)濕(shi)氣進入組件(jian)正面的(de)(de)這個理(li)論。2)1# 組件(jian)的(de)(de)功率出現了較大的(de)(de)衰減(jian),與(yu)NERL 提出的(de)(de)DH2500后(hou)衰減(jian)加(jia)快的(de)(de)理(li)論一致(zhi);3# 組件(jian)HF110 相比于HF100 功率更(geng)高,說(shuo)明(ming)濕(shi)凍環(huan)境(jing)的(de)(de)持續疊加(jia)比靜置很(hen)久之(zhi)后(hou)再放入該環(huan)境(jing)下試驗(yan)對組件(jian)造成的(de)(de)傷害更(geng)大。3) 串聯電阻的(de)(de)大量增加(jia)也表(biao)明(ming)濕(shi)凍試驗(yan)對組件(jian)的(de)(de)腐蝕更(geng)嚴。
將4 塊(kuai)組(zu)(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)置(zhi)于(yu)戶外(wai)曝(pu)曬(測(ce)(ce)(ce)得實際曝(pu)曬量為(wei)25 kWh/m2) 后(hou)測(ce)(ce)(ce)試其(qi)功(gong)率(lv),其(qi)中2#、4# 組(zu)(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)靜置(zhi)1 周后(hou)復測(ce)(ce)(ce)功(gong)率(lv),結果見圖7。由圖7 可知(zhi):1)1# 組(zu)(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)加(jia)做DH500 和(he)2# 組(zu)(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)曝(pu)曬25 kWh/m2 后(hou),以及(ji)3# 組(zu)(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)加(jia)做HF10 和(he)4# 組(zu)(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)曝(pu)曬25 kWh/m2 后(hou),組(zu)(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)功(gong)率(lv)相差(cha)不大(da),說明組(zu)(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)在老化嚴重(zhong)時,戶外(wai)曝(pu)曬對其(qi)損傷很大(da);2) 2#、4# 組(zu)(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)經受(shou)室外(wai)曝(pu)曬后(hou)靜置(zhi)的(de)時間不同,所測(ce)(ce)(ce)的(de)功(gong)率(lv)相差(cha)較大(da),結合前(qian)文提及(ji)的(de)靜置(zhi)1 年(nian)功(gong)率(lv)大(da)量恢復可知(zhi),組(zu)(zu)(zu)件(jian)(jian)(jian)在經受(shou)環境試驗后(hou),測(ce)(ce)(ce)其(qi)功(gong)率(lv)的(de)時間點(dian)也是需要考究的(de)。
圖8a 中,隨著試驗環境應力的(de)加強,濕(shi)熱試驗對組(zu)件匯流(liu)條的(de)腐蝕程(cheng)度更(geng)深,對比右(you)邊HF110 后的(de)匯流(liu)條,左邊DH3000 后的(de)匯流(liu)條表面涂層有明顯的(de)腐蝕現象。將HF110 及DH3000后的(de)組(zu)件焊帶剝(bo)離(li)出來,如圖8b 所示,濕(shi)熱試驗對組(zu)件匯流(liu)條腐蝕程(cheng)度更(geng)深,而(er)且濕(shi)凍試驗匯流(liu)條整(zheng)體光澤度很(hen)(hen)差(cha),很(hen)(hen)像是水汽長期凝(ning)附于表面的(de)結果。
圖(tu)9a 中,濕凍試(shi)驗焊(han)帶(dai)(dai)(dai)(dai)并未腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi),組件正面(mian)卻出(chu)現輕微的(de)黃變現象;濕熱(re)試(shi)驗組件的(de)焊(han)帶(dai)(dai)(dai)(dai)出(chu)現了局部(bu)腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi),但整體(ti)光(guang)澤度較好。圖(tu)9b和(he)圖(tu)9c 也存在同(tong)樣的(de)現象:濕凍試(shi)驗組件的(de)焊(han)帶(dai)(dai)(dai)(dai)整體(ti)腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)面(mian)積較大,光(guang)澤度較差;濕熱(re)試(shi)驗組件的(de)焊(han)帶(dai)(dai)(dai)(dai)腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)程(cheng)度更深,尤其是圖(tu)9c 中紅色圈出(chu)部(bu)分明顯(xian)出(chu)現了銅基(ji)的(de)露出(chu),表明銀電極與焊(han)帶(dai)(dai)(dai)(dai)間Sn-Pb 腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)嚴重。
為了(le)解焊帶的(de)(de)成(cheng)分以(yi)便(bian)對其老化有深入的(de)(de)認識,對拆解出的(de)(de)匯流條和焊帶進行SEM 電鏡(jing)掃描。該設備原理(li)是通過(guo)聚(ju)焦(jiao)的(de)(de)電子束轟擊樣(yang)(yang)品表(biao)面,通過(guo)電子與樣(yang)(yang)品表(biao)面的(de)(de)作用來(lai)分析該樣(yang)(yang)品。一般與能(neng)譜(EDS) 分析結合,能(neng)夠測出樣(yang)(yang)品表(biao)面各種元(yuan)素(su)的(de)(de)含量。
在匯流條的正面( 見圖10) 發現微量的Al 元素( 約占0.36%) 和Na 元素( 約占0.52%),應該是分別來自于鋁邊框及玻璃中,表明存在元素擴散現象;正面未發現Cu 元素,但背面卻發現較大含量的Cu 元素,表明背面濕氣的含量遠大于正面含量,導致匯流條背面表面涂層被腐蝕。濕熱試驗的匯流條測試結果與濕凍試驗大體一致。在焊(han)帶(dai)中,正(zheng)常涂層(ceng)材料為Sn-Pb 合金,Sn-Pb 比例為63%∶37%,涂層(ceng)材料不含(han)O 元(yuan)素(su)和(he)Ag 元(yuan)素(su),其未被腐蝕前(qian)也不會(hui)測出銅基底中的Cu 元(yuan)素(su)。在拆解出來(lai)的焊(han)帶(dai)中,選取濕(shi)凍腐蝕、濕(shi)熱腐蝕、濕(shi)凍完(wan)(wan)好、濕(shi)熱完(wan)(wan)好的焊(han)帶(dai)表面各2個(ge)點(dian)進(jin)行(xing)電鏡掃描,每種類型點(dian)所含(han)的元(yuan)素(su)重(zhong)量(liang)百(bai)分(fen)比取兩個(ge)點(dian)的均值,比較O、Cu、Ag、Sn、Pb 5 種元(yuan)素(su),結果如表7 所示。
對(dui)結構為(wei)KPK 3 層(ceng)(ceng)(ceng)結構的(de)背(bei)(bei)板(ban)( 雙面為(wei)含(han)(han)氟(fu)材(cai)料,中間為(wei)PET層(ceng)(ceng)(ceng)) 進(jin)行(xing)老化分析,如圖(tu)(tu)11 所示。圖(tu)(tu)中,濕(shi)(shi)熱試(shi)驗(yan)組(zu)件背(bei)(bei)板(ban)內層(ceng)(ceng)(ceng)氟(fu)膜與EVA 緊連在一(yi)起(qi),與背(bei)(bei)板(ban)其他(ta)兩層(ceng)(ceng)(ceng)完全脫離,這(zhe)可(ke)能與EVA和(he)背(bei)(bei)板(ban)中水汽(qi)含(han)(han)量有(you)關;濕(shi)(shi)凍(dong)試(shi)驗(yan)組(zu)件則是3 層(ceng)(ceng)(ceng)均分離,且中間PET 層(ceng)(ceng)(ceng)脆(cui)化相當嚴重(圖(tu)(tu)12),表明濕(shi)(shi)凍(dong)試(shi)驗(yan)對(dui)背(bei)(bei)板(ban)材(cai)料的(de)考驗(yan)非常大。
6) 2#、4# 組件經歷連續的濕凍濕熱試驗靜(jing)置一年后,通以9 A 電流3 min 后,發(fa)現(xian)兩塊組件均為接線盒下方(fang)區域損傷尤為嚴重(zhong),原因仍需后期探(tan)究(jiu)。
文(wen)章來源:太陽能雜志
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