塑封半導體器件THB試驗
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瑞(rui)凱儀器
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發布(bu)日期： 2021.08.19
THB 試驗是考核塑封器件耐濕性常用的加速試驗方法，一般在高溫高濕試驗箱中進行。通過提高環境溫度及相對濕度，使試驗環境的水汽分壓增加，加大了試驗環境與塑封半導體器件樣品內部的水蒸氣壓力差，進而加劇水汽擴散和吸收：同時施加偏置電壓為加速金屬侵蝕提供了必要的電解電池。加速金屬侵蝕的原因還有:塑封器件所用不同材料的熱失配使封裝體內產生縫隙加速水汽的侵入；封裝材料中的雜質污染等。
為得(de)到較好的加速性，THB試驗對不同功率(lv)的塑封半(ban)導體(ti)器件施加不同電壓偏置:小功率塑(su)(su)封半(ban)導體(ti)器件，施加(jia)(jia)穩態電壓(ya)偏(pian)(pian)置;人(ren)功(gong)率塑(su)(su)封半(ban)導體(ti)器件，施加(jia)(jia)間(jian)歇電壓(ya)偏(pian)(pian)置。因為大功(gong)率器件在(zai)“有(you)偏(pian)(pian)置(bias-on)”時(shi)，芯片(pian)發(fa)熱對芯片(pian)周圍的(de)模(mo)塑(su)(su)化合(he)物有(you)烘干作用(yong)，若持續施加(jia)(jia)穩態電壓(ya)偏(pian)(pian)置，則模(mo)塑(su)(su)化合(he)物中不會存在(zai)水(shui)汽(qi)。因此(ci)，人(ren)功(gong)率器什在(zai)間(jian)歇偏(pian)(pian)置電壓(ya)下(xia)“無偏(pian)(pian)置（bias-off)”時(shi)模(mo)塑(su)(su)化合(he)物吸(xi)收水(shui)汽(qi);“有(you)編置(bias-on)”時(shi)，封裝(zhuang)體(ti)內水(shui)汽(qi)在(zai)也偏(pian)(pian)置作:用(yong)下(xia)產生離(li)子遷移激發(fa)火效。表1是(shi)JEDEC標準JESD22-A101-B（穩態THB壽命試!驗〉中施加(jia)(jia)電壓(ya)偏(pian)(pian)置的(de)原則。
JESD22-A101-B標準中(zhong)指出，大多數(shu)大功率塑封半導體器件試驗樣品以1小時(shi)加(jia)偏置(zhi)，1小時(shi)不加(jia)偏置(zhi)即能得(de)到較好加(jia)速性。
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