近幾(ji)年(nian)，隨著物聯網的(de)(de)快速發展(zhan)，5g通訊逐漸廣泛使用。但，由于(yu)技(ji)術(shu)性能成熟的(de)(de)局限(xian)問題，根據(ju)國內運營需求和標準(zhun)進展(zhan)制(zhi)定面向行業終端5G 通用模組可(ke)靠(kao)性技(ji)術(shu)要求及測(ce)試方(fang)法，具體涉及5G通用模組可(ke)靠(kao)性的(de)(de)溫濕(shi)度(du)(du)可(ke)靠(kao)性、塵霧可(ke)靠(kao)性、機械可(ke)靠(kao)性和電氣可(ke)靠(kao)性等(deng)方(fang)面。下(xia)面，瑞凱(kai)儀器給大(da)家講解(jie)一下(xia)5G通用模組需做的(de)(de)溫濕(shi)度(du)(du)可(ke)靠(kao)性測(ce)試吧！
5G通用模組在日(ri)常(chang)使用過程中需要在不同(tong)溫濕(shi)度下(xia)的(de)環(huan)境工作。根(gen)據(ju)場景(jing)的(de)不同(tong)，可能會面臨極限溫濕(shi)度，這(zhe)對模組的(de)溫濕(shi)度可靠性也提出(chu)了要求。通常(chang)，5G模組在溫濕(shi)度可靠性測(ce)試時需要進行以下(xia)幾方面的(de)測(ce)試。
1、低溫(wen)和(he)(he)高溫(wen)存(cun)儲試驗(yan)： 模(mo)擬DUT暴露在規定的低溫(wen)或(huo)高溫(wen)不(bu)帶電工作狀態，如面(mian)向行業(ye)終端的5G通用模(mo)組運輸和(he)(he)存(cun)放于高低溫(wen)環(huan)境(jing)溫(wen)度下。
2、溫度(du)沖擊(ji)試(shi)驗： 驗證(zheng)DUT在(zai)高低溫瞬變的安全性能(neng)、可靠性、焊點質量等。經過(guo)規定(ding)的嚴酷(ku)等級環(huan)(huan)境(jing)后，恢復為(wei)標(biao)準(zhun)試(shi)驗環(huan)(huan)境(jing)；然后在(zai)標(biao)準(zhun)試(shi)驗環(huan)(huan)境(jing)下，DUT外(wai)觀、焊接質量、性能(neng)檢測應符合要求。
3、濕熱(re)存儲試驗：模(mo)擬DUT暴露在規(gui)定的高(gao)濕度不帶電(dian)工作狀態(tai)，如面向(xiang)行業終端的5G通用模(mo)組運輸和存放于高(gao)濕度環(huan)境下(xia)。
4、高溫(wen)(wen)/低(di)溫(wen)(wen)工作(zuo)試驗：模(mo)擬DUT暴露在規定(ding)的高溫(wen)(wen)/低(di)溫(wen)(wen)帶電工作(zuo)狀(zhuang)態(tai)，如(ru)面向行(xing)業(ye)終(zhong)端(duan)的5G通(tong)用(yong)模(mo)組(zu)使用(yong)于(yu)高低(di)溫(wen)(wen)極限環境溫(wen)(wen)度下(xia)的性(xing)能。
5、濕熱(re)(re)工(gong)作試驗： 模擬DUT暴露在規定的高濕度帶(dai)電工(gong)作狀態(tai)，如面向行業終(zhong)端的5G通用模組使用于濕熱(re)(re)環境下的性(xing)能。
6、高溫(wen)(wen)老化試(shi)驗：模擬DUT長期暴(bao)露在規定的高溫(wen)(wen)帶電工作狀態，DUT性能檢測(ce)應符(fu)合要求。高溫(wen)(wen)試(shi)驗的嚴酷(ku)等(deng)級(ji)由溫(wen)(wen)度(du)和持續時間(jian)決(jue)定。
7、溫(wen)度(du)階梯試(shi)驗(yan)：模擬DUT常溫(wen)下帶電工(gong)(gong)作，以一(yi)定溫(wen)度(du)階梯值(zhi)變(bian)化，驗(yan)證高溫(wen)和(he)低(di)溫(wen)的極限溫(wen)度(du)環境(jing)下DUT的工(gong)(gong)作性能。
8、溫度循環試驗(yan)：模擬DUT帶電工作時，由于溫度循環(huan)變化，DUT性能檢測應符合要求。
9、濕(shi)(shi)熱循環試驗(yan) ： 溫濕(shi)(shi)度(du)可靠性的(de)技術要求 模(mo)擬DUT暴露(lu)在規定的(de)濕(shi)(shi)度(du)環境的(de)工作狀態，如面向(xiang)行業終端(duan)的(de)5G通用模(mo)組使用于濕(shi)(shi)度(du)環境下。
10、溫(wen)度/濕(shi)度合成循環試驗(yan)：模擬DUT暴(bao)露在(zai)高溫(wen)/高濕(shi)和(he)(he)低溫(wen)不帶電工作(zuo)狀態，以加速方式(shi)來確定行(xing)業終端的(de)5G通用模組(zu)在(zai)高溫(wen)/高濕(shi)和(he)(he)低溫(wen)條件劣化作用下的耐受性能。
11、熱(re)(re)浸(jin)透試驗：模擬DUT暴露在(zai)規定(ding)(ding)的(de)熱(re)(re)浸(jin)環境的(de)工作狀態，如面(mian)向(xiang)行業(ye)終端的(de)5G通用模組使用于熱(re)(re)浸(jin)環境下。所有這些測試，在(zai)規定(ding)(ding)的(de)嚴酷(ku)等級的(de)環境狀態下，DUT性(xing)能檢測應符合要求。試驗中和(he)試驗后，DUT的(de)工作性(xing)能要求應當滿足規定(ding)(ding)的(de)性(xing)能要求。在(zai)規定(ding)(ding)的(de)試驗后，DUT應遵照(zhao)3GPP 38.521-1、38.521-2以(yi)(yi)及(ji)38.521-3進行終端(duan)一致(zhi)性(xing)(xing)測試，并滿足3GPP
38.101-1、38.101-2以(yi)(yi)及(ji)38.101-3指標要求(qiu)，并滿足吞吐量(liang)以(yi)(yi)及(ji)功耗等(deng)性(xing)(xing)能要求(qiu)。
