半導體高溫儲存試驗測試標準
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時(shi)間(jian)：2020-06-11
國(guo)際標準分類中(zhong)，半導(dao)體(ti)高溫(wen)儲存試(shi)驗涉及到半導(dao)體(ti)分立器件。
在中國標準分(fen)類中，半(ban)導體(ti)高(gao)溫儲存試驗(yan)涉及到半(ban)導體(ti)分(fen)立(li)器件(jian)(jian)綜(zong)合、電力半(ban)導體(ti)器件(jian)(jian)、部件(jian)(jian)。
國際電(dian)工委員(yuan)會，關于半導(dao)體 高(gao)溫儲存試(shi)驗(yan)的標準
IEC 60749-6-2017 半(ban)導(dao)體器件.機械(xie)和(he)氣(qi)候試驗方法.第6部(bu)分:高溫(wen)下儲存(cun)
IEC 60749-6-2017 半導體器件.機械和氣候(hou)試(shi)驗方法.第6部分:高(gao)溫下儲(chu)存(cun)
IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣(qi)候試(shi)驗(yan)方法(fa).第6部分(fen):高溫下儲存(cun)
IEC 60749-6-2002 半導體器(qi)件.機械和(he)氣候試(shi)驗方法.第6部分:高溫下儲存
韓國(guo)標準，關于(yu)半導體 高溫儲存試驗的(de)標準
KS C IEC 60749-6-2004 半導體器件.機械和氣候試驗(yan)方(fang)法.第6部分(fen):高溫(wen)下儲(chu)存(cun)
德國標(biao)準化學會，關(guan)于半導體 高(gao)溫儲存試驗的(de)標(biao)準
DIN EN 60749-6-2003 半(ban)導體器件.機(ji)械和(he)氣候試驗方法.第6部分:高溫儲(chu)存
法國標準(zhun)化協會，關于半導體 高溫儲存試驗的標準(zhun)
NF C96-022-6-2002
半導體裝置.機(ji)械和(he)氣候試驗方(fang)法.第6部分:高溫下儲存
英(ying)國標(biao)準(zhun)(zhun)學會，關于半導體 高溫儲存試(shi)驗的標(biao)準(zhun)(zhun)
BS EN 60749-6-2002 半(ban)導(dao)體器件(jian).機(ji)械和氣候試(shi)驗方法.高溫下儲存
歐(ou)洲電工標準化委員會，關于半(ban)導體 高溫儲存(cun)試驗的標準
EN 60749-6-2002 半導體(ti)器件.機械和氣候試(shi)驗方法.第6部分:高(gao)溫下儲存 部分替(ti)代EN 60749-1999+A1-2000+A2-2001;IEC 60749-6-2002
