隨著生產工藝的(de)逐步提高,IEC 61215 所(suo)測(ce)試(shi)(shi)(shi)的(de)量已不足以考驗組(zu)件的(de)耐候性,也(ye)無法模擬或探索出組(zu)件在(zai)(zai)戶外實際所(suo)經受的(de)失效(xiao)形式。根據TüV 的(de)分析,熱斑測(ce)試(shi)(shi)(shi)、濕(shi)凍測(ce)試(shi)(shi)(shi)、濕(shi)熱測(ce)試(shi)(shi)(shi)這3 種(zhong)測(ce)試(shi)(shi)(shi)的(de)失效(xiao)率,如圖(tu)1 所(suo)示。組(zu)件熱斑現(xian)象機理較明晰(xi),在(zai)(zai)戶外出現(xian)熱斑的(de)情況較少,即使有也(ye)多出現(xian)在(zai)(zai)早晚輻(fu)照不強時,易(yi)避免。所(suo)以,組(zu)件的(de)濕(shi)凍及濕(shi)熱試(shi)(shi)(shi)驗是對組(zu)件考驗的(de)兩(liang)個因(yin)素(su),本文針對這兩(liang)個因(yin)素(su),在(zai)(zai)IEC61215 標準的(de)基(ji)礎(chu)上展開深入的(de)測(ce)試(shi)(shi)(shi)研究。
收(shou)集(ji)同一(yi)(yi)個(ge)廠家同一(yi)(yi)批次生(sheng)產的4 塊組(zu)件( 該類(lei)型組(zu)件由(you)60 片(pian)(pian)多晶硅(gui)太陽電池片(pian)(pian)組(zu)成(cheng)),并將其編(bian)號。1# 和2# 組(zu)件用于DH2500 試驗(yan),每(mei)500 h 取出測一(yi)(yi)次功(gong)率(lv)(lv)及(ji)(ji)EL;3# 和4# 用于HF100 測試,每(mei)10 個(ge)循環(huan)測一(yi)(yi)次功(gong)率(lv)(lv)及(ji)(ji)EL。首先將組(zu)件同時接(jie)受光輻(fu)照5 kWh/m2 的預處理,預處理之后測得的功(gong)率(lv)(lv)如(ru)表1 所示。
得到預處理后的功率數據后,試驗設計過程如圖2 所示。將1# 和2# 組件置于高低溫交變濕熱試驗箱中,設(she)置(zhi)濕度85% 和(he)(he)溫度85 ℃的試(shi)驗條件(jian),每500h 取出組(zu)(zu)件(jian)進(jin)行(xing)功率(lv)和(he)(he)EL 檢測;將3# 和(he)(he)4# 組(zu)(zu)件(jian)置(zhi)于濕凍環(huan)境(jing)箱中,設(she)置(zhi)RH 85% 和(he)(he)-40~85℃的溫度循環(huan),單個(ge)循環(huan)周期為(wei)24 h,每10 個(ge)循環(huan)取出組(zu)(zu)件(jian)進(jin)行(xing)功率(lv)和(he)(he)EL 檢測。
濕熱試驗后(hou),組(zu)件功(gong)(gong)率(lv)(lv)衰(shuai)減(jian)較少,兩塊組(zu)件終(zhong)衰(shuai)減(jian)都在2.5% 左(zuo)右。功(gong)(gong)率(lv)(lv)衰(shuai)減(jian)與(yu)串聯電阻的(de)增大正(zheng)相關,FF 變化不明顯。
圖5 為3# 和4# 組件( 均為HF100) 功率(lv)衰減(jian)、串聯電阻(zu)及填充因子(zi)FF 的(de)變(bian)化情況。濕凍試驗的(de)組件功率(lv)前期(qi)衰減(jian)較少、后期(qi)較多,整體呈(cheng)冪(mi)函數(shu)趨(qu)勢。隨著組件功率(lv)的(de)衰減(jian),串聯電阻(zu)呈(cheng)現出(chu)明顯的(de)正相(xiang)(xiang)關(guan)趨(qu)勢,而FF則呈(cheng)現出(chu)負相(xiang)(xiang)關(guan)的(de)趨(qu)勢。
1) 對(dui)于濕熱試驗:如表3 所(suo)示,兩塊組(zu)件濕熱試驗恢復1 年后,FF 都下(xia)(xia)降(jiang)了,這與串聯(lian)電阻增(zeng)大(da)導致FF 下(xia)(xia)降(jiang)相一致。由(you)于串聯(lian)電阻的(de)(de)增(zeng)大(da),功率點(dian)電壓Vmp 降(jiang)低。但(dan)是(shi)(shi)短路電流Isc的(de)(de)變(bian)化是(shi)(shi)不隨組(zu)件焊帶的(de)(de)腐蝕等因素變(bian)化的(de)(de),正(zheng)如開路電壓Voc 無(wu)(wu)變(bian)化一樣(yang),Isc 的(de)(de)變(bian)化與輻照強度及(ji)禁帶寬度有關(guan),但(dan)是(shi)(shi)Voc 幾(ji)乎未(wei)變(bian),電池外觀也無(wu)(wu)較大(da)改(gai)變(bian),所(suo)以(yi)禁帶寬度未(wei)發生變(bian)化。Isc的(de)(de)變(bian)化在(zai)于輻照強度,但(dan)測試儀器(qi)是(shi)(shi)同(tong)一臺且都經過標定,那么原因很有可能(neng)來(lai)自于組(zu)件正(zheng)面的(de)(de)水(shui)汽導致玻璃和EVA 透光(guang)率的(de)(de)變(bian)化,當靜置后水(shui)汽蒸(zheng)發,透光(guang)率增(zeng)大(da),輻照量增(zeng)強,所(suo)以(yi)Isc 增(zeng)大(da)。同(tong)樣(yang),功率點(dian)電流Imp 增(zeng)大(da),但(dan)Vmp 減小(xiao),所(suo)以(yi)組(zu)件的(de)(de)功率P=VmpImp 未(wei)改(gai)變(bian)。
2) 對于(yu)濕(shi)(shi)(shi)凍(dong)試(shi)驗(yan):表4 為濕(shi)(shi)(shi)凍(dong)試(shi)驗(yan)及恢復后組(zu)(zu)件(jian)各電(dian)(dian)(dian)(dian)學參數,由(you)表4 可知,功(gong)率(lv)(lv)(lv)點電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)Vmp降低,功(gong)率(lv)(lv)(lv)點電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)Imp增(zeng)(zeng)(zeng)大(da),短路電(dian)(dian)(dian)(dian)流Isc增(zeng)(zeng)(zeng)大(da),開路電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)Voc 變(bian)化(hua)輻度(du)(du)很小,可認為不變(bian)。但(dan)功(gong)率(lv)(lv)(lv)P 卻(que)有大(da)量的(de)恢復,原(yuan)因就在于(yu)并(bing)聯(lian)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)Rsh 明顯增(zeng)(zeng)(zeng)大(da)(表明漏(lou)電(dian)(dian)(dian)(dian)流減(jian)(jian)少了),Isc 和Imp 的(de)增(zeng)(zeng)(zeng)量也較(jiao)大(da),推測這(zhe)是濕(shi)(shi)(shi)氣(qi)的(de)蒸(zheng)發所(suo)致(zhi)。但(dan)是同(tong)樣的(de)蒸(zheng)發,濕(shi)(shi)(shi)熱試(shi)驗(yan)卻(que)未出(chu)現(xian)(xian)功(gong)率(lv)(lv)(lv)恢復和并(bing)聯(lian)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)增(zeng)(zeng)(zeng)大(da),說明除了濕(shi)(shi)(shi)氣(qi)蒸(zheng)發、組(zu)(zu)件(jian)正面(mian)透光率(lv)(lv)(lv)上升(sheng)之外(wai),還有其他原(yuan)因。濕(shi)(shi)(shi)熱和濕(shi)(shi)(shi)凍(dong)試(shi)驗(yan)后兩種組(zu)(zu)件(jian)外(wai)觀并(bing)未發生(sheng)改變(bian),但(dan)是試(shi)驗(yan)過(guo)程中(zhong)(zhong)濕(shi)(shi)(shi)凍(dong)試(shi)驗(yan)是通40 μA電(dian)(dian)(dian)(dian)流的(de),電(dian)(dian)(dian)(dian)流在大(da)量濕(shi)(shi)(shi)氣(qi)進(jin)入組(zu)(zu)件(jian)的(de)情況下(xia)(xia),很有可能使焊帶出(chu)現(xian)(xian)漏(lou)電(dian)(dian)(dian)(dian)通道,導致(zhi)組(zu)(zu)件(jian)并(bing)聯(lian)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)減(jian)(jian)小,功(gong)率(lv)(lv)(lv)快(kuai)速下(xia)(xia)降,表5 中(zhong)(zhong)濕(shi)(shi)(shi)凍(dong)試(shi)驗(yan)HF90和HF100 過(guo)程中(zhong)(zhong)對應(ying)組(zu)(zu)件(jian)功(gong)率(lv)(lv)(lv)大(da)幅(fu)的(de)衰減(jian)(jian)就很可是這(zhe)個原(yuan)因造成的(de)。綜上所(suo)述,濕(shi)(shi)(shi)氣(qi)、電(dian)(dian)(dian)(dian)流、溫(wen)度(du)(du)及溫(wen)度(du)(du)循環(huan)4 個條件(jian)共同(tong)造成濕(shi)(shi)(shi)凍(dong)組(zu)(zu)件(jian)焊帶出(chu)現(xian)(xian)漏(lou)電(dian)(dian)(dian)(dian)通道,導致(zhi)組(zu)(zu)件(jian)并(bing)聯(lian)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)增(zeng)(zeng)(zeng)大(da),功(gong)率(lv)(lv)(lv)減(jian)(jian)小。
從圖(tu)6 的(de)(de)EL 圖(tu)像可看出,紅色圈出部分(fen)出現(xian)了明(ming)顯的(de)(de)明(ming)暗片(pian)、連接處腐蝕或串(chuan)聯(lian)電阻增大的(de)(de)現(xian)象。這表明(ming)從HF90 到HF100 功(gong)率大幅衰減的(de)(de)原因除了漏電通(tong)道(dao)外,就是串(chuan)聯(lian)電阻的(de)(de)增大和電池間的(de)(de)失配。
2.21#、3# 組(zu)件加量環境試驗(yan)
對1#、3# 組(zu)件加(jia)量環(huan)(huan)境試(shi)驗,得到結果見表6。由表6 可知,1)兩塊(kuai)組(zu)件短路電(dian)流Isc 在試(shi)驗后(hou)都下降了(le)(le)(le),開路電(dian)壓Voc 變化很小,可認(ren)為不變,驗證了(le)(le)(le)之前所說濕氣(qi)進入組(zu)件正面的(de)(de)(de)這個理(li)論(lun)。2)1# 組(zu)件的(de)(de)(de)功率出現了(le)(le)(le)較大(da)的(de)(de)(de)衰減(jian),與NERL 提出的(de)(de)(de)DH2500后(hou)衰減(jian)加(jia)快的(de)(de)(de)理(li)論(lun)一(yi)致;3# 組(zu)件HF110 相比于(yu)HF100 功率更(geng)高,說明濕凍環(huan)(huan)境的(de)(de)(de)持續疊加(jia)比靜置很久之后(hou)再放入該環(huan)(huan)境下試(shi)驗對組(zu)件造成的(de)(de)(de)傷害(hai)更(geng)大(da)。3) 串(chuan)聯(lian)電(dian)阻的(de)(de)(de)大(da)量增加(jia)也表明濕凍試(shi)驗對組(zu)件的(de)(de)(de)腐蝕更(geng)嚴。
將4 塊組(zu)(zu)(zu)件(jian)置于戶外曝(pu)(pu)曬(測(ce)(ce)(ce)得(de)實際(ji)曝(pu)(pu)曬量為25 kWh/m2) 后(hou)測(ce)(ce)(ce)試其(qi)功(gong)率(lv),其(qi)中(zhong)2#、4# 組(zu)(zu)(zu)件(jian)靜置1 周后(hou)復(fu)測(ce)(ce)(ce)功(gong)率(lv),結果見圖7。由圖7 可(ke)(ke)知:1)1# 組(zu)(zu)(zu)件(jian)加(jia)做(zuo)DH500 和2# 組(zu)(zu)(zu)件(jian)曝(pu)(pu)曬25 kWh/m2 后(hou),以及3# 組(zu)(zu)(zu)件(jian)加(jia)做(zuo)HF10 和4# 組(zu)(zu)(zu)件(jian)曝(pu)(pu)曬25 kWh/m2 后(hou),組(zu)(zu)(zu)件(jian)功(gong)率(lv)相差(cha)不大(da),說明組(zu)(zu)(zu)件(jian)在老(lao)化嚴重時,戶外曝(pu)(pu)曬對其(qi)損傷很大(da);2) 2#、4# 組(zu)(zu)(zu)件(jian)經(jing)受(shou)室(shi)外曝(pu)(pu)曬后(hou)靜置的(de)時間不同(tong),所測(ce)(ce)(ce)的(de)功(gong)率(lv)相差(cha)較大(da),結合前文(wen)提(ti)及的(de)靜置1 年功(gong)率(lv)大(da)量恢復(fu)可(ke)(ke)知,組(zu)(zu)(zu)件(jian)在經(jing)受(shou)環境試驗(yan)后(hou),測(ce)(ce)(ce)其(qi)功(gong)率(lv)的(de)時間點也是需要考究(jiu)的(de)。
圖(tu)8a 中,隨著試驗環境應力(li)的(de)加強,濕熱(re)(re)試驗對組件匯流(liu)條(tiao)的(de)腐蝕程(cheng)度(du)(du)更深,對比右邊HF110 后的(de)匯流(liu)條(tiao),左邊DH3000 后的(de)匯流(liu)條(tiao)表面涂層(ceng)有明顯的(de)腐蝕現象。將HF110 及(ji)DH3000后的(de)組件焊帶剝離出來,如(ru)圖(tu)8b 所示,濕熱(re)(re)試驗對組件匯流(liu)條(tiao)腐蝕程(cheng)度(du)(du)更深,而且濕凍(dong)試驗匯流(liu)條(tiao)整體光(guang)澤度(du)(du)很差,很像(xiang)是水汽長期凝附于表面的(de)結果。
圖(tu)9a 中(zhong),濕凍試驗焊帶并(bing)未腐(fu)(fu)蝕,組(zu)(zu)件(jian)正面卻出(chu)現(xian)輕微的(de)(de)黃變現(xian)象;濕熱試驗組(zu)(zu)件(jian)的(de)(de)焊帶出(chu)現(xian)了局部腐(fu)(fu)蝕,但整體(ti)光澤(ze)度(du)較(jiao)好(hao)。圖(tu)9b和圖(tu)9c 也存在同樣的(de)(de)現(xian)象:濕凍試驗組(zu)(zu)件(jian)的(de)(de)焊帶整體(ti)腐(fu)(fu)蝕面積較(jiao)大,光澤(ze)度(du)較(jiao)差;濕熱試驗組(zu)(zu)件(jian)的(de)(de)焊帶腐(fu)(fu)蝕程度(du)更(geng)深(shen),尤其是(shi)圖(tu)9c 中(zhong)紅色圈出(chu)部分明顯出(chu)現(xian)了銅基的(de)(de)露(lu)出(chu),表明銀電極與焊帶間Sn-Pb 腐(fu)(fu)蝕嚴重。
為了解焊(han)帶的(de)(de)成分以便對其老化有(you)深入的(de)(de)認識,對拆解出的(de)(de)匯流條和焊(han)帶進行SEM 電鏡掃描。該設備原理是通過聚焦的(de)(de)電子束轟擊樣品(pin)表面,通過電子與樣品(pin)表面的(de)(de)作用來分析該樣品(pin)。一般(ban)與能譜(EDS) 分析結(jie)合,能夠測出樣品(pin)表面各種元素的(de)(de)含量(liang)。
在匯流條的正面( 見圖10) 發現微量的Al 元素( 約占0.36%) 和Na 元素( 約占0.52%),應該是分別來自于鋁邊框及玻璃中,表明存在元素擴散現象;正面未發現Cu 元素,但背面卻發現較大含量的Cu 元素,表明背面濕氣的含量遠大于正面含量,導致匯流條背面表面涂層被腐蝕。濕熱試驗的匯流條測試結果與濕凍試驗大體一致。在焊帶中,正常涂層(ceng)材料為Sn-Pb 合金(jin),Sn-Pb 比(bi)例為63%∶37%,涂層(ceng)材料不(bu)含O 元(yuan)素和Ag 元(yuan)素,其(qi)未(wei)被腐蝕前也(ye)不(bu)會測出銅基底中的(de)Cu 元(yuan)素。在拆解出來的(de)焊帶中,選取濕(shi)凍腐蝕、濕(shi)熱腐蝕、濕(shi)凍完好、濕(shi)熱完好的(de)焊帶表面各2個(ge)點進行電鏡掃描(miao),每(mei)種類(lei)型點所含的(de)元(yuan)素重(zhong)量(liang)百分比(bi)取兩(liang)個(ge)點的(de)均值(zhi),比(bi)較O、Cu、Ag、Sn、Pb 5 種元(yuan)素,結果(guo)如表7 所示(shi)。
對結構為(wei)(wei)KPK 3 層結構的(de)背(bei)板(ban)(ban)( 雙面(mian)為(wei)(wei)含氟材料(liao)(liao),中間為(wei)(wei)PET層) 進行老(lao)化分(fen)析,如(ru)圖(tu)11 所示。圖(tu)中,濕(shi)熱試(shi)驗組件背(bei)板(ban)(ban)內(nei)層氟膜與EVA 緊連在一起,與背(bei)板(ban)(ban)其他兩層完全脫離(li),這(zhe)可(ke)能與EVA和(he)背(bei)板(ban)(ban)中水汽含量有(you)關;濕(shi)凍試(shi)驗組件則是3 層均分(fen)離(li),且中間PET 層脆化相當嚴(yan)重(圖(tu)12),表明濕(shi)凍試(shi)驗對背(bei)板(ban)(ban)材料(liao)(liao)的(de)考驗非常大。
6) 2#、4# 組件經歷連續的濕凍濕熱試驗靜置一年后,通以9 A 電(dian)流(liu)3 min 后,發現兩塊組(zu)件均為(wei)接線盒下方區域損(sun)傷尤為(wei)嚴(yan)重,原因仍需后期探究。
文章來源:太陽能雜志(zhi)