近幾(ji)年(nian)來，本實(shi)驗(yan)室連續開展了(le)(le)大規(gui)(gui)模集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)的(de)(de)(de)(de)新品檢(jian)測工作(zuo)，如偵察(cha)運(yun)算電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)、BCH編譯碼器(qi)、CRT地(di)(di)址產生(sheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)及接(jie)口電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)等，基本上都是規(gui)(gui)模較大的(de)(de)(de)(de)CMOS電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)，對靜電(dian)敏感(gan)，工作(zuo)速(su)(su)度(du)較快。在高、低(di)(di)溫(wen)(wen)(wen)電(dian)性(xing)(xing)能測試中(zhong)成(cheng)功地(di)(di)采(cai)用了(le)(le)該集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)高、低(di)(di)溫(wen)(wen)(wen)電(dian)性(xing)(xing)能測試系(xi)統，積累了(le)(le)一些有益的(de)(de)(de)(de)經驗(yan)。通過實(shi)際應用發現，必(bi)須注意以下一些具體的(de)(de)(de)(de)環節，如測試板的(de)(de)(de)(de)隔(ge)離、防(fang)潮，被測器(qi)件的(de)(de)(de)(de)靜電(dian)保護，被測器(qi)件芯片(pian)溫(wen)(wen)(wen)度(du)的(de)(de)(de)(de)確定等問題，才能快速(su)(su)、準確地(di)(di)完(wan)成(cheng)CMOS VLSI的(de)(de)(de)(de)高、低(di)(di)溫(wen)(wen)(wen)電(dian)性(xing)(xing)能測試。

    在用該高、低溫(wen)(wen)(wen)(wen)測(ce)試系統(tong)做溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)測(ce)試時(shi)(shi)(shi)，系統(tong)有溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)傳感器(qi)叮測(ce)到器(qi)件(jian)底部的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)，雖然氣流是(shi)重直于(yu)DUT表面(mian)(mian)而下(xia)，但(dan)DUT的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)底部還是(shi)屬于(yu)器(qi)件(jian)表面(mian)(mian)，如(ru)何確(que)定DUT芯(xin)(xin)片溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)建(jian)立(li)時(shi)(shi)(shi)間(jian)(jian)，是(shi)個(ge)比較復雜的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)問題。因為(wei)DUT芯(xin)(xin)片溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)建(jian)立(li)時(shi)(shi)(shi)間(jian)(jian)受很(hen)多因系的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)影(ying)(ying)響，如(ru)DUT的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)材料、形狀尺寸，溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)以及(ji)氣體流量的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)大小等(deng)因素的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)影(ying)(ying)響。不(bu)同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)器(qi)件(jian)芯(xin)(xin)片溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)建(jian)立(li)時(shi)(shi)(shi)間(jian)(jian)是(shi)不(bu)一(yi)樣(yang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)，溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)建(jian)立(li)時(shi)(shi)(shi)間(jian)(jian)是(shi)指系統(tong)變溫(wen)(wen)(wen)(wen)( 升溫(wen)(wen)(wen)(wen)獲降溫(wen)(wen)(wen)(wen))開始，到建(jian)立(li)新的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱平(ping)衡，即(ji)被測(ce)器(qi)件(jian)芯(xin)(xin)片溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)達到設(she)定值這一(yi)段時(shi)(shi)(shi)間(jian)(jian)。某公司給(gei)出了1000Ω電(dian)阻溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)探測(ce)器(qi)(RTD)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)建(jian)立(li)時(shi)(shi)(shi)間(jian)(jian)曲(qu)線，如(ru)圖3所示。圖3表明不(bu)同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)RTD其溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)建(jian)立(li)時(shi)(shi)(shi)間(jian)(jian)是(shi)不(bu)同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)。

    DUT芯(xin)片溫(wen)(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)的(de)(de)建(jian)立(li)時(shi)(shi)(shi)間(jian)對(dui)于高(gao)、低溫(wen)(wen)(wen)(wen)(wen)測(ce)(ce)(ce)試(shi)是非常重要(yao)的(de)(de)指(zhi)標，只有在(zai)大(da)于建(jian)立(li)時(shi)(shi)(shi)間(jian)的(de)(de)時(shi)(shi)(shi)間(jian)段內測(ce)(ce)(ce)試(shi)，測(ce)(ce)(ce)試(shi)的(de)(de)數(shu)據才能(neng)真正地(di)反(fan)映設定溫(wen)(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)點的(de)(de)性(xing)(xing)能(neng)及(ji)具(ju)有重復性(xing)(xing)。對(dui)于復雜的(de)(de)大(da)規模集成電路，我們采(cai)取在(zai)開始(shi)高(gao)、低溫(wen)(wen)(wen)(wen)(wen)測(ce)(ce)(ce)試(shi)前，通過反(fan)復試(shi)驗(yan)，確定被測(ce)(ce)(ce)器(qi)件芯(xin)片溫(wen)(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)的(de)(de)建(jian)立(li)時(shi)(shi)(shi)間(jian)。在(zai)熱流系統(tong)顯示達到設定溫(wen)(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)開始(shi)，對(dui)被測(ce)(ce)(ce)器(qi)件進行多次電參數(shu)測(ce)(ce)(ce)試(shi)，當其電參數(shu)趨于穩定并具(ju)有可(ke)重復性(xing)(xing)時(shi)(shi)(shi)，將這段時(shi)(shi)(shi)間(jian)確定為DUT芯(xin)片溫(wen)(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)的(de)(de)建(jian)立(li)時(shi)(shi)(shi)間(jian)。經過反(fan)復試(shi)驗(yan)發(fa)現，系統(tong)的(de)(de)溫(wen)(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)傳(chuan)感(gan)器(qi)測(ce)(ce)(ce)得的(de)(de)被測(ce)(ce)(ce)器(qi)件底部(bu)溫(wen)(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)與芯(xin)片溫(wen)(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)基本(ben)一致。