因為目前的測試方式都不足以代表完整LED芯片的使用壽命和需花費冗長的時間。因此，有其他的團隊開始研究加速壽命測試方式和壽命推估模型，而Highly accelerated temperature and humidity stress test (HAST)是目前有可能拿來做加速壽命推估的測試方法。

    HAST 是由固態技術協會(JEDEC)所制(zhi)定的(de)測(ce)(ce)試(shi)方法(fa)，主要是用來進行(xing)半導體封裝(zhuang)的(de)可靠度測(ce)(ce)試(shi)，可測(ce)(ce)試(shi)封裝(zhuang)體老化(hua)的(de)程度以(yi)及水氣(qi)入侵的(de)速度。主要的(de)測(ce)(ce)試(shi)條件(jian)有(you)兩個110℃ -85% RH和(he)130℃-85% RH。在S.I.Chan的(de)研究(jiu)中，他(ta)們(men)分析(xi)高功率LED芯(xin)片在經過HAST和(he)一般環(huan)境(25℃-50%RH)測(ce)(ce)試(shi)后，芯(xin)片特性劣化(hua)的(de)機制(zhi)是否(fou)相(xiang)同。在一般的(de)測(ce)(ce)試(shi)條件(jian)下經過2900小時的(de)測(ce)(ce)試(shi)后，LED芯(xin)片會出現(xian)(xian)光通量衰減、光譜特性改(gai)變、封裝(zhuang)材料變色(se)和(he)氣(qi)泡產生(sheng)以(yi)及熱阻上升等現(xian)(xian)象(xiang)。而(er)在HAST的(de)測(ce)(ce)試(shi)中可觀察得到(dao)更(geng)為顯(xian)著的(de)現(xian)(xian)象(xiang)，且(qie)無(wu)其(qi)他(ta)異常現(xian)(xian)象(xiang)發生(sheng)，這(zhe)表示了HAST確實有(you)加速劣化(hua)機制(zhi)的(de)效果。

    在圖3中，可以看到LED芯片的光通量在HAST測試中，下降的速度比一般情況下要來的快。但只靠HAST的測試是無法推測出燈具的使用壽命，還需要一個壽命推估模型。W.D. van Rriel提到利用Monte Carlos approach和hybrid approach using BBN and Markov Chain methodology這兩種方法來推估燈具系統的壽命，但是推估過程容易因為LED燈具系統若使用較多元件而變得相當復雜。