首頁 方案 產品 我們

聚焦瑞凱,傳遞環境檢測行業新動態
技術文章
芯片可靠性測試之HAST高壓加速老化測試
來源: bibil.cn 時(shi)間:2020-09-27

    開發一(yi)款(kuan)芯片(pian)基本(ben)的環節就是——設計>流(liu)片(pian)>封裝(zhuang)>測試,芯片(pian)成本(ben)構成一(yi)般為人力成本(ben)20%,流(liu)片(pian)40%,封裝(zhuang)35%,測試5%。(對于先進工藝(yi),流(liu)片(pian)成本(ben)可(ke)能超過60%)。

芯片測試

    測試只占芯片各(ge)個(ge)環節(jie)(jie)的(de)(de)(de)5%,看似是“便宜”的(de)(de)(de),在每家公司都喊著“降低(di)(di)成本(ben)”的(de)(de)(de)時(shi)候,人力成本(ben)不斷的(de)(de)(de)攀升,晶圓廠和封裝廠都在乙方市(shi)場中(zhong)叱咤(zha)風(feng)云,似乎(hu)只有測試這一環節(jie)(jie)沒有那(nei)么難啃,于是“降低(di)(di)成本(ben)”的(de)(de)(de)算(suan)盤就落在了(le)測試的(de)(de)(de)頭(tou)上了(le)。
    但仔細算(suan)算(suan),就算(suan)測(ce)試(shi)省(sheng)了50%,總成本(ben)也(ye)只(zhi)是省(sheng)了2.5%,但是測(ce)試(shi)是產品質量的后(hou)一關(guan),若沒有良(liang)好的測(ce)試(shi),那(nei)么產品PPM(百萬(wan)失效率)過高,被退回或(huo)賠償都(dou)遠(yuan)遠(yuan)不只(zhi)這5%的成本(ben)。
   ; 芯(xin)片(pian)需要(yao)做什么(me)測試?

    芯片的測(ce)(ce)試(shi)主要(yao)分為三大(da)類:芯片功能測(ce)(ce)試(shi)、性能測(ce)(ce)試(shi)、可(ke)靠性測(ce)(ce)試(shi)。這三大(da)測(ce)(ce)試(shi)缺一不可(ke)。

芯片可靠性測試

    其中,芯(xin)(xin)片(pian)的可(ke)靠(kao)性(xing)測試可(ke)以測試芯(xin)(xin)片(pian)是否會被(bei)冬天(tian)里的靜電弄壞,在(zai)雷雨天(tian)、三伏天(tian)、風雪天(tian)等(deng)復雜環(huan)境中能(neng)(neng)否正常工作,以及新開發的芯(xin)(xin)片(pian)能(neng)(neng)使(shi)用一(yi)個月、一(yi)年還(huan)是十年的使(shi)用壽命等(deng)等(deng)。要知道到這些問題(ti),都需要通過可(ke)靠(kao)性(xing)測試進行評估。
    而(er)芯片可靠性測(ce)試中,不可或缺的是HAST測(ce)試!

    HAST高壓加速老化測試【Highly Accelerated Stress Test】可檢測芯片封裝的耐濕能力,待測產品被置于嚴苛的溫度、濕度及壓力下測試,濕氣是否會沿者膠體或膠體與導線架之接口滲入封裝體從而損壞芯片。

HAST高壓加速老化測試

    JESD22-A118試驗規范與條件(HAST無偏壓試驗)
    用來評(ping)價器件在(zai)潮(chao)濕環(huan)境(jing)中的(de)(de)可靠性(xing),即(ji)施加(jia)(jia)嚴酷的(de)(de)溫度、濕度及(ji)提高水汽壓力通(tong)過外部保(bao)護材(cai)料(liao)(包封料(liao)或密封料(liao))或沿著外部保(bao)護材(cai)料(liao)和金屬導體(ti)介面的(de)(de)滲透,其失效(xiao)機(ji)(ji)制(zhi)與[85℃/85%RH]高溫高濕穩態溫度壽命(ming)試(shi)驗(JESD22-A101-B)相同,該試(shi)驗過程未施加(jia)(jia)偏壓以確保(bao)失效(xiao)機(ji)(ji)制(zhi)不被(bei)偏壓所掩蓋。需要注意的(de)(de)是(shi),由于吸收的(de)(de)水汽會(hui)降低大多數聚(ju)合物材(cai)料(liao)的(de)(de)玻璃化轉變速(su)度,當溫度高于玻璃化轉變溫度時,可能會(hui)出(chu)現非真實的(de)(de)失效(xiao)模式。

    常用測(ce)試條件:110℃/85%RH——264小時。

常用測試條件

    常見(jian)的故障原因:
    1、爆(bao)米花效應
    2、動金屬化(hua)區域腐蝕造成之(zhi)斷路(lu)
    3、封裝體引腳間因污染(ran)造成之短路
    注:爆米(mi)花效(xiao)應(Popcorm Effect)特指因封裝產生裂(lie)紋(wen)而(er)導致(zhi)芯片報廢的現象,這種現象發生時(shi),常伴有爆米(mi)花般的聲響,故而(er)得名(ming)。

相關資訊