我國大多(duo)(duo)數裝(zhuang)備(bei)(bei)電子產(chan)品(pin)的(de)(de)研制(zhi)周期較長，且產(chan)品(pin)使(shi)(shi)用(yong)(yong)后還(huan)需(xu)要維修(xiu)，而元器(qi)件(jian)(尤(you)其是進(jin)口元器(qi)件(jian))更新換代是比較快的(de)(de)，往(wang)往(wang)裝(zhuang)備(bei)(bei)在研制(zhi)過程中(zhong)，某些進(jin)口元器(qi)件(jian)已不(bu)生產(chan)，或(huo)定(ding)(ding)型后使(shi)(shi)用(yong)(yong)需(xu)要維修(xiu)時，有些元器(qi)件(jian)已經“斷檔”。為(wei)了解決(jue)這一(yi)(yi)矛盾(dun)，通(tong)常在采購時留有足(zu)夠的(de)(de)余量(liang)(liang)，以(yi)解決(jue)裝(zhuang)備(bei)(bei)研制(zhi)的(de)(de)需(xu)要；而且元器(qi)件(jian)訂貨(huo)量(liang)(liang)大，單價相對(dui)來(lai)說就(jiu)低，也(ye)有利(li)于節約費(fei)用(yong)(yong)。作為(wei)元器(qi)件(jian)的(de)(de)采購方(fang)和使(shi)(shi)用(yong)(yong)方(fang)普遍采取“一(yi)(yi)次(ci)(ci)采購、多(duo)(duo)次(ci)(ci)使(shi)(shi)用(yong)(yong)”的(de)(de)方(fang)式，這不(bu)僅能取得一(yi)(yi)定(ding)(ding)的(de)(de)經濟(ji)效益，也(ye)有利(li)于保證裝(zhuang)備(bei)(bei)產(chan)品(pin)的(de)(de)研制(zhi)進(jin)度(du)。而另(ling)一(yi)(yi)方(fang)面，元器(qi)件(jian)生產(chan)廠(chang)家也(ye)希望(wang)“一(yi)(yi)次(ci)(ci)技產(chan)、多(duo)(duo)次(ci)(ci)供貨(huo)”以(yi)降低生產(chan)成本。但“一(yi)(yi)次(ci)(ci)訂貨(huo)，多(duo)(duo)次(ci)(ci)使(shi)(shi)用(yong)(yong)”或(huo)“一(yi)(yi)次(ci)(ci)投產(chan)、多(duo)(duo)次(ci)(ci)供貨(huo)”主要取決(jue)于元器(qi)件(jian)允許長期儲(chu)存(cun)的(de)(de)期限，以(yi)及(ji)超過了規定(ding)(ding)的(de)(de)儲(chu)存(cun)期限后，需(xu)要通(tong)過必(bi)要的(de)(de)檢測，才能驗證元器(qi)件(jian)的(de)(de)質(zhi)量(liang)(liang)與可靠性仍(reng)能滿足(zu)裝(zhuang)備(bei)(bei)研制(zhi)的(de)(de)要求。

    元器件的儲存可靠性以及儲存期的長短主要與下列因素有關： 
    (1)由設計、工藝和原材料決定的元器件固有質量狀況。
    (2)元器件儲存的環境條件。
    (3)元器件的不同類別。
    (4)裝備的可靠性要求。
    元器件儲存環境
    多數元器件的總規范和詳細規范中規定了元器件的儲存環境，SJ331《半導體集成電路總技術條件》規定了半導體集成電路儲存的溫度范圍為-10℃～40℃，相對濕度不大于80% ；美國軍用標準和我國軍用標準規定半導體器件的儲存環境溫度范圍要寬一些。這些標準中規定的儲存環境都是不允許超過的范圍，并非元器件儲存的佳環境。根據國家標準GB4798.1《電工電子產品應用環境:儲存》，對于某些存放精密儀器儀表、元器件的倉庫環境條件的級別定為級別，其主要的氣候環境條件為:溫度:20℃～25℃；相對濕度:20%～70%；氣壓:70kPa～106kPa。這三項儲存的氣候環境條件中，對元器件儲存可靠性影響較大的是溫度和相對濕度，氣壓影響的程度相對較小。儲存環境除了氣候環境對元器件的有效儲存期有影響外，GB4798.1中還規定了其他環境(如特殊氣候環境(輻射等)、生物環境(霉菌、白蟻等)、化學活性物質(有害氣體等)、機械活性物質(砂、塵等))。
    此外，振動、沖擊等機械環境對元器件儲存可靠性和儲存期的長短也有很大影響。GJB/Z123《宇航用電子元器件有效儲存期及超期復驗指南》中均規定了元器件的儲存環境條件:元器件必須儲存在清潔、通風、無腐蝕氣體并有溫度和相對濕度指示儀器的場所。
    對于某些特殊元器件的儲存應滿足以下特殊的要求：
    1、對靜電放電敏感的元器件(如MOS器件、微波器件等)，應采取靜電放電防護措施。
    2、對磁場敏感但本身無磁屏蔽的元件，應存放在具有磁屏蔽作用的容器內。
    3、非密封片式元器件應存放在充惰性氣體密封的密封容器內，或存放在采取有效去濕措施(如加吸濕劑、防氧化劑等)的密封容器內。
    4、微電機等機電元件的油封及單元包裝應保持完整。
    元器件儲存失效機理
    影響元器件儲存可靠性和儲存期長短的主要因素是元器件本身包含的各種缺陷，凡系統中含有存在缺陷的元器件都不能滿足系統長期儲存的要求，無缺陷或缺陷少的元器件就能滿足系統十幾年甚至是20年的長期儲存要求。美國桑迪亞國家實驗室(SNL)收集了美國國防部的部分高可靠微電子器件(如MOSLSI、雙極型SSI)在非工作狀態下的大量儲存數據，儲存期為8年-10年，甚至20年以上。數據分析表明，非工作狀態下元器件的儲存失效并非單純地呈指數分布規律，其失效在較大程度上由設計、制造和生產過程的質量監控失誤造成的缺陷所引起。
    對長期庫房儲存試驗和延壽試驗的失效樣品分析表明，失效的主要原因是由于器件內部水汽影響，其次是芯片、引線脫落。元器件儲存失效包括內部結構失效和與封裝、鍵合有關的外部結構失效，而外部結構失效在儲存失效中占主要部分，包括封裝漏氣失效、引線焊接失效、外引線腐蝕斷裂等，是由于元器件在儲存溫度、濕度等環境應力的作用下潛在的外殼、封裝工藝缺陷而導致失效。