適用范(fan)圍:
該試(shi)(shi)驗(yan)檢查芯片(pian)長期(qi)貯(zhu)存條件(jian)下，高溫和時間對器件(jian)的(de)影響。本(ben)規范適用于量(liang)產(chan)芯片(pian)驗(yan)證(zheng)測(ce)試(shi)(shi)階段的(de)HAST測(ce)試(shi)(shi)需求，僅針對非密封(feng)封(feng)裝(塑(su)料封(feng)裝)，帶偏置(zhi)(bHAST)和不帶偏置(zhi)(uHAST)的(de)測(ce)試(shi)(shi)。簡(jian)介：
該試驗通過溫度(du)、濕(shi)度(du)、大(da)氣壓力加速條件，評估非密封封裝器件在(zai)上電(dian)狀態下，在(zai)高溫、高壓、潮(chao)濕(shi)環境中的(de)(de)可靠性。它采(cai)用了(le)嚴(yan)格的(de)(de)溫度(du)，濕(shi)度(du)，大(da)氣壓、電(dian)壓條件，該條件會加速水分(fen)滲透到材料內部與(yu)金屬(shu)導體之間的(de)(de)電(dian)化學反(fan)應。引用(yong)文(wen)件(jian)：
下列文件(jian)中的(de)(de)條(tiao)款(kuan)通(tong)過本(ben)(ben)規(gui)范(fan)的(de)(de)引(yin)用(yong)而(er)(er)成為本(ben)(ben)規(gui)范(fan)的(de)(de)條(tiao)款(kuan)。凡是(shi)(shi)注日(ri)期的(de)(de)引(yin)用(yong)文件(jian)，其(qi)隨后所有的(de)(de)修改(gai)單（不(bu)(bu)包括(kuo)勘誤的(de)(de)內容(rong)）或修訂(ding)版均不(bu)(bu)適(shi)(shi)用(yong)于本(ben)(ben)規(gui)范(fan)，然(ran)而(er)(er)，鼓勵(li)根據本(ben)(ben)規(gui)范(fan)達成協議的(de)(de)各(ge)方研究(jiu)是(shi)(shi)否可使(shi)用(yong)這些文件(jian)的(de)(de)新版本(ben)(ben)。凡是(shi)(shi)不(bu)(bu)注日(ri)期的(de)(de)引(yin)用(yong)文件(jian)，其(qi)新版本(ben)(ben)適(shi)(shi)用(yong)于本(ben)(ben)規(gui)范(fan)。
1. HAST測試流程
2.1 溫(wen)度(du)、濕度(du)、氣壓、測(ce)試時間 HAST試驗(yan)條件如下表所示：
? 測(ce)試(shi)過程中，建議調試(shi)階段(duan)監控芯(xin)(xin)片殼溫(wen)、功耗(hao)數據推算(suan)芯(xin)(xin)片結溫(wen)，要保證結溫(wen)不(bu)能過 高，并(bing)在測(ce)試(shi)過程中定期記(ji)錄。結溫(wen)推算(suan)方法(fa)參考《HTOL測(ce)試(shi)技術(shu)規范》。
? 如(ru)果殼溫與環溫差值(zhi)或者功耗滿足下表三種關系時，特別是當殼溫與環溫差值(zhi)超過(guo) 10℃時，需考慮周期(qi)性的電壓(ya)拉偏(pian)策略。
2.2 電壓拉偏
uHAST測試不帶電壓(ya)拉偏，不需(xu)要關注(zhu)該節；
bHAST需要帶電壓拉(la)偏，遵循以下原則(ze)：
(1) 所有(you)電(dian)(dian)源上電(dian)(dian)，電(dian)(dian)壓：推(tui)薦操作范圍電(dian)(dian)壓(Maximum Recommended Operating Conditions）
(2) 芯片功耗小(數字部分不翻轉(zhuan)、輸入晶振短接、其他降功耗方法(fa))；
(3) 輸(shu)入管(guan)腳在輸(shu)入電壓(ya)允(yun)許(xu)范圍內拉(la)高。
(4) 其他(ta)管(guan)腳，如時(shi)鐘端(duan)、復位端(duan)、輸(shu)出管(guan)腳在(zai)輸(shu)出范圍(wei)內隨機(ji)拉(la)高或者拉(la)低；
2.3 樣本量(liang)
? 高(gao)溫、高(gao)壓(ya)(ya)、濕度控制(zhi)試驗(yan)箱（HAST高(gao)壓(ya)(ya)加速老化(hua)試驗(yan)箱）——溫度、濕度、氣壓(ya)(ya)強度范圍可控，測試時間可控。
4. 失(shi)效判據
? ATE功能(neng)篩片有功能(neng)失效(xiao)、性能(neng)異常(chang)。
5. HAST測試注意事項(xiang)
? 測試過(guo)程要求每天記(ji)錄電源電壓、電流(liu)、環境溫度、殼溫(推算結(jie)溫)等(deng)關鍵數據。
? 注意(yi)芯片內部模擬(ni)電(dian)路是(shi)否有上電(dian)默認開啟的模塊，這樣的模塊會導致靜(jing)態電(dian)流太(tai)大(da)，引起其他機制的失效。
? 調(diao)試過程(cheng)注意，考(kao)慮到較大的電(dian)流引起壓降(jiang)，電(dian)壓等(deng)的記錄應該是到板電(dian)壓，而不是電(dian)源源端電(dian)壓。
? 調試過程注意，室溫(wen)條(tiao)件下的電(dian)源電(dian)壓與(yu)規定要求(qiu)下的電(dian)源電(dian)壓不同(tong)，可以在室溫(wen)下初調，待(dai)試驗環境到達(da)HAST設定條(tiao)件后做(zuo)終調試。
