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瑞凱PCT高壓加速老化試驗箱(xiang)可滿足IEC60068-2-66、JESDEC-A110、A118規范要求,3種控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)模(mo)式包(bao)含:不(bu)飽和(he)控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)(干濕球溫(wen)(wen)度控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi))、不(bu)飽和(he)控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)(升溫(wen)(wen)溫(wen)(wen)度控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi))、濕潤飽和(he)控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)。
溫度(du)(du)范圍:100℃ → +132℃(飽和(he)蒸氣溫度(du)(du)) 或(huo) 100℃ → +143℃(飽和(he)蒸氣溫度(du)(du))
壓力范圍:0.2~2㎏/㎝2(0.05~0.196MPa) 或(huo)0.2~3㎏/㎝2(0.05~0.294MPa)
加壓(ya)時間:約55min
溫度均勻度:≤±0.5℃
溫度波(bo)動度:≤±0.5℃
濕度范圍(wei):100%RH(飽(bao)和蒸氣濕度)
PCT高(gao)(gao)壓加(jia)(jia)速老(lao)化試(shi)驗(yan)箱(xiang)是(shi)由一個壓力(li)容(rong)器(qi)組成,壓力(li)容(rong)器(qi)包括一個能(neng)(neng)產生(sheng)100%濕(shi)(shi)(shi)度和(he)100℃ → +143℃溫度環(huan)(huan)境的(de)水加(jia)(jia)熱(re)器(qi),待測品(pin)經(jing)過PCT試(shi)驗(yan)所出(chu)現的(de)不(bu)同失(shi)效可能(neng)(neng)是(shi)大量水氣凝結滲(shen)透所造成的(de)。PCT試(shi)驗(yan)一般稱為壓力(li)鍋蒸煮試(shi)驗(yan)或(huo)是(shi)飽(bao)和(he)蒸汽(qi)試(shi)驗(yan),主要是(shi)將待測品(pin)置于嚴苛之溫度、飽(bao)和(he)濕(shi)(shi)(shi)度(100%R.H.)[飽(bao)和(he)水蒸氣]及壓力(li)環(huan)(huan)境下(xia)測試(shi),測試(shi)代測品(pin)耐高(gao)(gao)濕(shi)(shi)(shi)能(neng)(neng)力(li),針對印刷線路板(PCB&FPC)、芯片(IC)、金屬材料等,用來進行材料吸濕(shi)(shi)(shi)率試(shi)驗(yan)、高(gao)(gao)壓蒸煮試(shi)驗(yan)..等試(shi)驗(yan)目的(de)。
內膽采用圓弧設計防止結露滴水,
符合國家(jia)安全容器規(gui)范(fan);
大型彩色(se)液晶觸摸(mo)控(kong)(kong)制器,側面纜線孔方便外(wai)部負載及(ji)內部數據連接(jie),通過選購接(jie)口可進(jin)行網絡監控(kong)(kong);
試驗開(kai)始時系統自(zi)動一次加(jia)足試驗所需用水,試驗永久不中(zhong)斷;
運行音量(liang)可達65db極致靜音標準;
濕氣所引起的故障原因:水汽滲入、聚合物材料解聚、聚合物結合能力下降、腐蝕、空洞、線焊點脫開、引線間漏電、芯片與芯片粘片層脫開、焊盤腐蝕、金屬化或引線間短路。
水汽對電子封裝可靠性的影響:腐蝕失效、分層和開裂、改變塑封材料的性質。
PCT對PCB的故障模式:起泡(Blister)、斷裂(Crack)、止焊漆剝離(SR de-lamination)。
半導體的PCT測試:PCT主要是測試半導體封裝之抗濕氣能力,待測品被放置嚴苛的溫濕度以及壓力環境下測試,如果半導體封裝的不好,濕氣會沿者膠體或膠體與導線架之接口滲入封裝體之中,常見的故裝原因:爆米花效應、動金屬化區域腐蝕造成之斷路、封裝體引腳間因污染造成之短路..等相關問題。
PCT對IC半導體的可靠度評估項目:DA Epoxy、導線架材料、封膠樹脂
腐蝕失效與IC:腐蝕失效(水汽、偏壓、雜質離子)會造成IC的鋁線發生電化學腐蝕,而導致鋁線開路以及遷移生長。
塑封半導體因濕氣腐蝕而引起的失效現象:
由于鋁(lv)(lv)和鋁(lv)(lv)合金(jin)價格便宜,加工工藝簡單,因此通(tong)常(chang)(chang)被使用爲(wei)集(ji)成電(dian)路的金(jin)屬線。從進(jin)行(xing)(xing)(xing)集(ji)成電(dian)路塑(su)(su)封(feng)(feng)制(zhi)程開(kai)始(shi),水氣便會通(tong)過環氧樹脂滲入引起鋁(lv)(lv)金(jin)屬導線産生腐(fu)蝕進(jin)而産生開(kai)路現象,成爲(wei)質(zhi)(zhi)量管理爲(wei)頭痛的問(wen)題(ti)(ti)。雖然(ran)通(tong)過各種改(gai)善包括(kuo)采用不同環氧樹脂材料、改(gai)進(jin)塑(su)(su)封(feng)(feng)技術和提高非(fei)活性塑(su)(su)封(feng)(feng)膜(mo)爲(wei)提高産質(zhi)(zhi)量量進(jin)行(xing)(xing)(xing)了各種努力,但是隨著日新月異的半導體電(dian)子器件(jian)小型(xing)化發展,塑(su)(su)封(feng)(feng)鋁(lv)(lv)金(jin)屬導線腐(fu)蝕問(wen)題(ti)(ti)至今仍(reng)然(ran)是電(dian)子行(xing)(xing)(xing)業非(fei)常(chang)(chang)重(zhong)要的技術課(ke)題(ti)(ti)。
鋁線中産生腐蝕過程:
① 水氣滲(shen)透入(ru)塑封(feng)殼內→濕氣滲(shen)透到樹脂和導線間隙(xi)之中
② 水氣(qi)滲透到芯(xin)片(pian)表面(mian)引起鋁化學反應
加速鋁腐蝕的因素:
①樹脂(zhi)材料(liao)與芯片框架接(jie)口(kou)之(zhi)間(jian)連接(jie)不夠好(由于(yu)各種(zhong)材料(liao)之(zhi)間(jian)存在膨脹率的差(cha)異)
②封裝時(shi),封裝材料(liao)摻(chan)有雜質或(huo)者雜質離(li)子的污染(由于雜質離(li)子的出現)
③非(fei)活性塑封膜中所使用的(de)高濃度磷
④非活性塑封膜中(zhong)存(cun)在的缺(que)陷
爆米花效應(Popcorn Effect):
說(shuo)明:原指以塑(su)料外體所封(feng)裝的(de)(de)IC,因其芯片安(an)裝所用(yong)的(de)(de)銀膏會(hui)吸(xi)(xi)水,一旦末(mo)加防(fang)范(fan)而(er)徑行封(feng)牢塑(su)體后,在下(xia)游組裝焊接遭遇(yu)高溫時,其水分(fen)將因汽化壓力而(er)造(zao)成封(feng)體的(de)(de)爆裂,同時還會(hui)發出有如爆米(mi)花(hua)般的(de)(de)聲響,故而(er)得名,當吸(xi)(xi)收水汽含(han)量(liang)高于(yu)0.17%時,[爆米(mi)花(hua)]現(xian)象(xiang)就會(hui)發生。近來十分(fen)盛行P-BGA的(de)(de)封(feng)裝組件(jian),不但(dan)其中銀膠會(hui)吸(xi)(xi)水,且連載板之基(ji)材也(ye)(ye)會(hui)吸(xi)(xi)水,管(guan)理不良時也(ye)(ye)常(chang)出現(xian)爆米(mi)花(hua)現(xian)象(xiang)。
水汽進入IC封裝的途徑:
1.IC芯片和(he)引線框架及SMT時用的(de)銀漿所吸收(shou)的(de)水
2.塑封料(liao)中吸收的(de)水分
3.塑(su)封工作(zuo)間(jian)濕度(du)較高時對器件可能(neng)造(zao)成影響;
4.包封后的(de)器(qi)件,水汽透(tou)(tou)過塑(su)(su)封料以(yi)及通過塑(su)(su)封料和引(yin)線(xian)框架之間隙滲透(tou)(tou)進去,因為塑(su)(su)料與引(yin)線(xian)框架之間只(zhi)有機械性(xing)的(de)結合,所以(yi)在引(yin)線(xian)框架與塑(su)(su)料之間難(nan)免出現(xian)小的(de)空隙。
備注:只要封(feng)膠(jiao)之間空隙大(da)于3.4*10^-10m以(yi)上,水分子(zi)就(jiu)可(ke)穿越封(feng)膠(jiao)的防護
備注:氣(qi)(qi)密(mi)(mi)封(feng)裝對于(yu)水汽不敏感,一般不采(cai)用(yong)加速溫(wen)濕度試驗(yan)來評價其(qi)可(ke)靠性,而是測定(ding)其(qi)氣(qi)(qi)密(mi)(mi)性、內(nei)部水汽含量等。
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