一、試驗及標準
1、試驗(yan)目的：常(chang)見 低氣壓試驗(yan) 的試驗目(mu)的通常有3種(zhong)：
1）確(que)定(ding)產品在常溫條(tiao)件下能否耐(nai)受低氣(qi)壓環境，在低氣(qi)壓環境下正(zheng)常工作(zuo)．以(yi)及耐(nai)受空氣(qi)壓力快(kuai)速(su)變化的能力。
2）確(que)定常溫條件下元(yuan)件和材料在低(di)氣壓下耐電擊穿的能(neng)力，確(que)定密(mi)封元(yuan)件耐受氣壓差不被破壞的能(neng)力，確(que)定低(di)氣壓對元(yuan)件工作特性的影響。
3）確定(ding)元器(qi)件和材(cai)料(liao)在(zai)氣壓減(jian)小(xiao)時，由于空氣和其(qi)他絕(jue)緣(yuan)材(cai)料(liao)的(de)絕(jue)緣(yuan)強度減(jian)弱抗電擊(ji)穿失效的(de)能力。

    二、參考標準
1） G J B 150．2A一2009《軍用裝備實驗(yan)室(shi)環境(jing)試驗(yan)方法第二部分低氣壓( 高度） 試驗(yan)》;
2） G J B 360B一(yi)2009《電(dian)(dian)子及(ji)電(dian)(dian)氣元件試(shi)驗方法方法105低氣壓試(shi)驗》( 等效美軍標M IL—STD一(yi)202F） ;
3） G J B 548B一(yi)2005《微電子器件試驗方法和程(cheng)序(xu)方法1001低(di)氣壓( 高空作(zuo)業） 》標M IL—STD一(yi)883D）;
4） G B2421—2008《電(dian)工電(dian)子產品基本環境試驗總(zong)則》;
5） G B／T 2423，21—2008《電工電子產品(pin)基本環境試(shi)驗(yan)規程(cheng)試(shi)驗(yan)M 低氣(qi)壓試(shi)驗(yan)方(fang)法》；
6） G B／T 2423．25—2008《電工電子產品基本環(huan)境試(shi)驗規程試(shi)驗Z／AM 低溫(wen)／低氣(qi)壓綜(zong)合試(shi)驗方(fang)法(fa);
7）G B／T 2423、26—2008《電(dian)工電(dian)子(zi)產品基(ji)本環(huan)境試驗(yan)規程試驗(yan)Z／BM 高(gao)溫／低氣壓綜合(he)試驗(yan)方法》；
8） G B2423．27—2005《電(dian)工(gong)電(dian)子產品基本環(huan)境(jing)試(shi)驗(yan)規程試(shi)驗(yan)Z／AM D 高溫／低氣壓綜合試(shi)驗(yan)方法(fa)》；
9） G B／T 2424．15—2008《電(dian)(dian)工電(dian)(dian)子產品基本(ben)環境試驗規程》。

    3、試驗條件(jian)：
1）試驗氣壓
GJB 548共列(lie)(lie)出了A、B、C、D、E、F、G7個不同條件(jian)(jian)(jian)下的(de)(de)高度(du)(du)氣(qi)壓(ya)值(zhi)，并且所給出的(de)(de)試(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)條件(jian)(jian)(jian)有(you)(you)一定(ding)的(de)(de)規(gui)律(lv)性，隨(sui)著(zhu)飛行(xing)高度(du)(du)由(you)低(di)到(dao)高，氣(qi)壓(ya)值(zhi)由(you)大變小；GJB 360給出了A、B、C、D、E、F、G、H、I、J 10個不同條件(jian)(jian)(jian)下的(de)(de)高度(du)(du)氣(qi)壓(ya)值(zhi)，并且所列(lie)(lie)的(de)(de)高度(du)(du)-氣(qi)壓(ya)表(biao)中的(de)(de)試(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)條件(jian)(jian)(jian)由(you)A到(dao)試(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)條件(jian)(jian)(jian)E有(you)(you)一定(ding)的(de)(de)規(gui)律(lv)性，隨(sui)著(zhu)飛行(xing)高度(du)(du)由(you)低(di)到(dao)高，氣(qi)壓(ya)值(zhi)由(you)大變小，而由(you)試(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)條件(jian)(jian)(jian)F到(dao)試(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)條件(jian)(jian)(jian)J沒(mei)有(you)(you)呈現規(gui)律(lv)性。與GJB 548所列(lie)(lie)的(de)(de)試(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)條件(jian)(jian)(jian)對(dui)比，GJB 360試(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)條件(jian)(jian)(jian)增加了條件(jian)(jian)(jian)H到(dao)試(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)條件(jian)(jian)(jian)J，對(dui)應的(de)(de)氣(qi)壓(ya)高度(du)(du)條件(jian)(jian)(jian)分別為：H：3 000m 70kPa；J：18 000m，7、6kPa；K：25 000m, 2、5 kPa。
2）試驗(yan)時間(jian)
GJB 360B-2009規定(ding)：
若無其他規定，試(shi)驗(yan)樣品在低(di)氣壓(ya)條件下的試(shi)驗(yan)時間(jian)，可從下列數值中(zhong)選取：
5min、30min、1h、2h、4h和(he)16h。

3）升降壓速(su)率

通常(chang)不大于10kPa/min

三、試驗(yan)設(she)備(bei)
低氣壓試驗(yan)的主要(yao)設備(bei)為 高低(di)溫低(di)氣壓試驗箱(xiang) 。可(ke)以在高低溫低氣壓(ya)單(dan)項或(huo)同(tong)時作用下，進行貯存(cun)運輸可(ke)靠(kao)性試驗，并可(ke)同(tong)時對試件通電進行電氣性能參數的測試。

四、問題與措施(shi)

1、問題
在低(di)氣壓試驗中(zhong)元器件可能暴露的缺陷有：絕緣（電(dian)離、放電(dian)和介質損耗）和結(jie)熱缺陷。
2、措施
1）針對在低(di)氣壓情況(kuang)下，容易產生放電(dian)現象，需加強絕緣(yuan)(yuan)電(dian)極及表(biao)面(mian)的絕緣(yuan)(yuan)性，灌封工藝是一個有效(xiao)的解決辦(ban)法(fa)。
2）元器件的(de)熱設計要充分(fen)考(kao)慮低氣壓(ya)帶來的(de)溫升問題。