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JESD22-A102封裝IC(芯片)無偏壓高壓蒸煮試驗.jpg

    本測(ce)試(shi)(shi)方法主要用于(yu)耐濕性(xing)評估(gu)和強健性(xing)測(ce)試(shi)(shi)。樣品放置于(yu)一個高(gao)壓(ya)、高(gao)濕環境(jing)下,在壓(ya)力下濕氣進入封裝,使弱(ruo)點暴露,如分層、金屬腐蝕。本測(ce)試(shi)(shi)用于(yu)評估(gu)新(xin)封裝或封裝材料變更(塑封料、芯(xin)片(pian)鈍化層)或設計變更(如芯(xin)片(pian)、觸(chu)點尺寸)。但(dan)本試(shi)(shi)驗(yan)不應(ying)用于(yu)基(ji)于(yu)封裝的(de)層壓(ya)板或膠帶(dai),如FR4材料、聚酰亞胺膠帶(dai)等。
    運行本(ben)試驗和(he)評估試驗結(jie)果(guo)須(xu)考慮一些注意(yi)事項(xiang)。失(shi)效機制,內部(bu)和(he)外部(bu)的(de)(de),可能產生(sheng)于不符合(he)預期(qi)使(shi)用條件(jian)。大(da)多(duo)半導體(ti)元(yuan)件(jian)在應用時不會超(chao)過95%濕(shi)(shi)度,包括壓(ya)縮濕(shi)(shi)氣如(ru)下雨或(huo)霧。高溫高濕(shi)(shi)和(he)高壓(ya)的(de)(de)綜合(he)可能產生(sheng)非現實的(de)(de)材(cai)料失(shi)效因為吸濕(shi)(shi)對(dui)大(da)多(duo)數塑料材(cai)料會降低玻璃化溫度。高壓(ya)蒸煮(zhu)試驗結(jie)果(guo)推斷應小心(xin)。
    無偏高(gao)(gao)壓(ya)蒸煮試驗(yan)的目的在于用(yong)壓(ya)縮濕(shi)氣或飽和(he)濕(shi)氣環境(jing)下,評估非氣密性封(feng)(feng)裝(zhuang)固態(tai)元件的抗(kang)濕(shi)性。這是(shi)一(yi)個采用(yong)壓(ya)力、濕(shi)度、濕(shi)度條(tiao)件的高(gao)(gao)加(jia)速(su)試驗(yan),在高(gao)(gao)壓(ya)條(tiao)件下加(jia)速(su)濕(shi)氣滲(shen)透到外(wai)外(wai)部保護物(wu)料(塑(su)封(feng)(feng)料或絲印)或沿外(wai)保護物(wu)料與金屬導電層(ceng)之間界面滲(shen)入。本測(ce)試用(yong)于識(shi)別封(feng)(feng)裝(zhuang)內部的失效(xiao)機制,并且(qie)是(shi)破壞(huai)性的。

    2、設備

    本測試要求一個可維持規定溫度和濕度的PCT高壓蒸煮試驗箱
    2.1記錄
    建議(yi)每個測(ce)試循環(huan)有(you)一套溫度曲線(xian)記錄(lu),以便驗(yan)證應力(li)條件。
    2.2應力儀器
    應(ying)力(li)儀器不近(jin)于內部(bu)箱表(biao)面(mian)3cm,不能直接受熱。
    2.3離子污染
    測(ce)試工件不應受到離子污染。
    2.4蒸(zheng)餾水或去離子水
    小1M.cm電(dian)阻

    3、測試條(tiao)件

    測試條件包括溫度(du)、濕度(du)、蒸氣(qi)壓和(he)時間(jian)


PCT高壓蒸煮試驗箱溫濕度壓力

    注(zhu)1公差應用于(yu)整個可用的試驗區域。
    注2試驗條件應(ying)持續施加,除去中間讀數點。對(dui)中間讀數點,器件件應(ying)在5.2規定時間內返(fan)回加壓(ya)。
    注3本文件之前(qian)的版(ban)本規定(ding)以下(xia)試驗條(tiao)件。
    條(tiao)件A:24hrs(-0,+2)
    條件B:48hrs(-0,+2)
    條(tiao)件(jian)C:96hrs(-0,+5)
    條件D:168hrs(-0,+5)
    條件E:240hrs(-0,+8)
    條件F:336hrs(-0,+8)
    試驗(yan)時(shi)間由內部鑒(jian)定要求、JESD47或(huo)適用(yong)的程序文件規(gui)定。典型為96小時(shi)。
    注意:對塑封微電路,濕氣會降低塑封料的有(you)(you)效(xiao)(xiao)的玻璃(li)化(hua)溫度(du)。在有(you)(you)效(xiao)(xiao)的玻璃(li)化(hua)溫度(du)之.上(shang)的應(ying)力溫度(du)可能導致(zhi)與操作(zuo)使用(yong)相關的失(shi)效(xiao)(xiao)機理。

    4、程序

    受(shou)試(shi)器(qi)件(jian)應(ying)以(yi)(yi)一定(ding)(ding)方式(shi)固定(ding)(ding),暴露(lu)在規(gui)定(ding)(ding)的(de)溫(wen)度、濕度條(tiao)件(jian)下(xia)。應(ying)避(bi)免元(yuan)件(jian)置于(yu)100℃以(yi)(yi)上和(he)(he)小(xiao)(xiao)于(yu)10%R.H.濕度的(de)環境中(zhong),特別是上升(sheng)、下(xia)降和(he)(he)先期(qi)測量干燥期(qi)間。上升(sheng)和(he)(he)下(xia)降時間應(ying)分別小(xiao)(xiao)于(yu)3小(xiao)(xiao)時。在設備控制(zhi)和(he)(he)冷卻程(cheng)序時要特別小(xiao)(xiao)心防止(zhi)受(shou)試(shi)器(qi)件(jian)受(shou)到破壞性的(de)降壓。確保(bao)減少污染,經(jing)常(chang)清潔(jie)試(shi)驗(yan)腔體。
    4.1試驗周期(qi)
    溫(wen)度和相對(dui)濕度達(da)到(dao)第(di)4條規定(ding)的設定(ding)點啟動試驗計時(shi),并(bing)在下降(jiang)開始點停止計時(shi)。
    4.2測試(shi)
    電測試(shi)應在下降結(jie)束(shu)降到(dao)室(shi)溫不早于(yu)2小(xiao)時(shi)(shi)(shi)(shi),不超過48小(xiao)時(shi)(shi)(shi)(shi)內(nei)進行。對于(yu)中(zhong)間(jian)(jian)測量,在下降階(jie)段結(jie)束(shu)后(hou)96小(xiao)時(shi)(shi)(shi)(shi)內(nei)器件(jian)恢復應力(li)。器件(jian)從高壓(ya)蒸(zheng)煮試(shi)驗箱移出后(hou),可以通過把(ba)器件(jian)放(fang)入密封(feng)的(de)潮濕袋(無干燥劑)中(zhong)來減小(xiao)器件(jian)的(de)潮氣(qi)釋放(fang)速(su)率。當(dang)器件(jian)放(fang)入密封(feng)袋時(shi)(shi)(shi)(shi),測試(shi)時(shi)(shi)(shi)(shi)間(jian)(jian)計(ji)時(shi)(shi)(shi)(shi)以器件(jian)暴露(lu)于(yu)實驗室(shi)環(huan)境中(zhong)潮氣(qi)釋放(fang)速(su)率的(de)1/3來計(ji)算。這樣通過把(ba)器件(jian)裝入潮氣(qi)密封(feng)袋中(zhong)測試(shi)時(shi)(shi)(shi)(shi)間(jian)(jian)可延長到(dao)144小(xiao)時(shi)(shi)(shi)(shi),壓(ya)力(li)恢復時(shi)(shi)(shi)(shi)間(jian)(jian)也延長到(dao)288小(xiao)時(shi)(shi)(shi)(shi)。
    4.3處理
    應(ying)使用消(xiao)除任何來源的(de)(de)附(fu)帶污染或(huo)靜(jing)電(dian)放電(dian)損壞(huai)的(de)(de)手環,處理器(qi)件和(he)測試(shi)夾具。在本(ben)試(shi)驗(yan)和(he)任何高加速(su)濕氣應(ying)力試(shi)驗(yan)中,污染控制是重要的(de)(de)。

    5、失效判據

    如果試驗后,器件參數超過極(ji)限(xian)值,或按適(shi)用的(de)(de)采(cai)購文件和(he)數據(ju)表中規定的(de)(de)正(zheng)常和(he)極(ji)限(xian)環境中不能驗證其功能時,器件視為(wei)失(shi)(shi)效。由于外部封裝(zhuang)損傷造成(cheng)的(de)(de)電失(shi)(shi)效不作為(wei)失(shi)(shi)效標準考(kao)慮范圍。

    6、安全性(xing)

    遵守設備生(sheng)產(chan)廠家建議(yi)和當(dang)地安全法規。

    7、說(shuo)明

    有關的采購(gou)文件中(zhong)應規(gui)定如下內容:
    a)試驗持續時間
    b)試(shi)驗后(hou)測量(liang)

    8、瑞(rui)凱PCT高壓蒸煮試驗箱產品介(jie)紹(shao)

    8.1設備介紹


    PCT高壓蒸煮試驗箱是利用高溫、高濕及加強的大氣壓力測試來評估IC產品對濕氣的抵抗能力。其和THB測試之不同處為不加偏壓,且用較高的溫度(121°C)及較高的濕度(100%R.H.)。

PCT高壓加速老化試驗機

    8.2設備參數 

PCT高壓加速老化試驗機參數

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