1、目(mu)的
    老(lao)(lao)煉試(shi)驗的(de)(de)目(mu)的(de)(de)是為了篩選或(huo)剔除(chu)那(nei)些(xie)(xie)勉(mian)強合格的(de)(de)器(qi)件。這(zhe)些(xie)(xie)器(qi)件或(huo)是本(ben)身具有(you)固(gu)有(you)的(de)(de)缺陷(xian)或(huo)者其缺陷(xian)產生(sheng)于制造(zao)(zao)工(gong)藝的(de)(de)控(kong)制不當，這(zhe)些(xie)(xie)缺陷(xian)會(hui)造(zao)(zao)成與時間(jian)和應力有(you)關的(de)(de)失(shi)效(xiao)。如不進行老(lao)(lao)煉試(shi)驗，這(zhe)些(xie)(xie)有(you)缺陷(xian)的(de)(de)器(qi)件在使用條(tiao)件下會(hui)出現初期致命失(shi)效(xiao)或(huo)早期壽(shou)命失(shi)效(xiao)。因此，篩選時用額(e)(e)定工(gong)作條(tiao)件或(huo)在額(e)(e)定工(gong)作條(tiao)件之上對MEMS加應力，或(huo)施加能(neng)以(yi)相(xiang)等的(de)(de)或(huo)更高的(de)(de)靈敏(min)度揭示出隨時間(jian)和應力變化(hua)的(de)(de)失(shi)效(xiao)模(mo)式的(de)(de)等效(xiao)篩選條(tiao)件。
    2、設備
    應(ying)(ying)提供適當(dang)的(de)(de)(de)(de)(de)插座和其他安(an)裝手段(duan)，使得在(zai)規(gui)定(ding)結構中(zhong)被試(shi)(shi)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)引(yin)(yin)出(chu)(chu)端有(you)可靠的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)連接安(an)裝的(de)(de)(de)(de)(de)方式(shi)應(ying)(ying)設(she)計成器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)內(nei)部的(de)(de)(de)(de)(de)耗(hao)熱不(bu)(bu)(bu)會(hui)通過傳(chuan)導方式(shi)消散(san)(san)，只(zhi)(zhi)能在(zai)規(gui)定(ding)的(de)(de)(de)(de)(de)環(huan)境(jing)溫(wen)(wen)度或在(zai)該溫(wen)(wen)度之上(shang)通過器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)引(yin)(yin)出(chu)(chu)端和必要的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)連接散(san)(san)熱。設(she)備應(ying)(ying)能在(zai)被試(shi)(shi)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)引(yin)(yin)出(chu)(chu)端上(shang)提供規(gui)定(ding)的(de)(de)(de)(de)(de)偏(pian)置(zhi)，并且若(ruo)有(you)規(gui)定(ding)時，還應(ying)(ying)監測(ce)輸(shu)入(ru)激勵或輸(shu)出(chu)(chu)響(xiang)應(ying)(ying)。電(dian)(dian)源(yuan)和電(dian)(dian)流(liu)調節(jie)電(dian)(dian)阻器(qi)(qi)(qi)應(ying)(ying)至(zhi)少能在(zai)整個(ge)試(shi)(shi)驗(yan)過程中(zhong)，只(zhi)(zhi)要其電(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)壓(ya)、環(huan)境(jing)溫(wen)(wen)度等條(tiao)件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)變化(hua)在(zai)常(chang)規(gui)范圍內(nei)，均(jun)能保持規(gui)定(ding)的(de)(de)(de)(de)(de)工作條(tiao)件(jian)(jian)(jian)。試(shi)(shi)驗(yan)設(she)備好應(ying)(ying)安(an)排成使器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)只(zhi)(zhi)出(chu)(chu)現自然對流(liu)冷卻。試(shi)(shi)驗(yan)條(tiao)件(jian)(jian)(jian)導致明(ming)顯的(de)(de)(de)(de)(de)功率耗(hao)散(san)(san)時，試(shi)(shi)驗(yan)設(she)備應(ying)(ying)設(she)置(zhi)成使每(mei)個(ge)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)產生(sheng)近似平均(jun)的(de)(de)(de)(de)(de)功率耗(hao)散(san)(san)，而不(bu)(bu)(bu)管器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)是(shi)單(dan)獨試(shi)(shi)驗(yan)還是(shi)成組試(shi)(shi)驗(yan)。試(shi)(shi)驗(yan)電(dian)(dian)路(lu)(lu)不(bu)(bu)(bu)必補償單(dan)個(ge)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)特性的(de)(de)(de)(de)(de)正常(chang)變化(hua)，但(dan)是(shi)應(ying)(ying)設(she)置(zhi)得使一組中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)某個(ge)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)失效(xiao)和出(chu)(chu)現異常(chang)時(即開(kai)路(lu)(lu)、短路(lu)(lu)等)不(bu)(bu)(bu)致對該組中(zhong)其他器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)試(shi)(shi)驗(yan)效(xiao)果產生(sheng)不(bu)(bu)(bu)良影響(xiang)。
    3、程序

    MEMS器件(jian)應(ying)按(an)規定(ding)(ding)時(shi)(shi)間和(he)(he)(he)溫度(du)進(jin)行規定(ding)(ding)條件(jian)的老(lao)煉篩(shai)選試驗(yan)(yan)。若(ruo)無(wu)其他規定(ding)(ding),在(zai)表1確定(ding)(ding)的等(deng)效時(shi)(shi)間和(he)(he)(he)溫度(du)下進(jin)行。表1中(zhong)對不同器件(jian)等(deng)級規定(ding)(ding)的溫度(du)——時(shi)(shi)間組合關系均可作為試驗(yan)(yan)條件(jian)。試驗(yan)(yan)前確定(ding)(ding)的試驗(yan)(yan)條件(jian)(時(shi)(shi)間和(he)(he)(he)溫度(du))應(ying)予以記錄并貫穿整(zheng)個試驗(yan)(yan)過程。老(lao)煉前和(he)(he)(he)老(lao)煉后測量應(ying)按(an)規定(ding)(ding)進(jin)行。

    3.1試驗條件
    3.1.1試驗溫度
    老煉試驗環境溫度應至少為125℃，承制方可以增加試驗溫度,并按表1減少相應的試驗時間。因為在正常情況下芯片溫將明顯地高于環境溫度，所以應設計成使試驗和工作時的額定芯片溫度不超過規定值。規定的試驗溫度是在高溫烤箱中工作區域內所有器件受到的環境溫度。為了保證這一條件的實現，可對高溫烤箱的內部結構、負荷、控制或監測儀器的放置位置、空氣或高溫烤箱內其他氣體的流動或液體媒質等各方面作必要的調整。在校準時，應使高溫烤箱處于滿負荷但不加功率的狀態，調節指示器的傳感器探頭位置，使其位于高溫烤箱內工作區域的溫度處。
    3.1.1大功率 MEMS器(qi)件的(de)試驗(yan)溫(wen)度(du)
    不管(guan)器件(jian)的(de)功率(lv)大小，所有(you)器件(jian)都應(ying)能在其(qi)額定工作溫度(du)(du)下進行老煉或(huo)壽命試驗(yan)(yan)。對(dui)于(yu)采用環(huan)境(jing)溫度(du)(du)TA表(biao)示工作溫度(du)(du)的(de)器件(jian)，試驗(yan)(yan)溫度(du)(du)按表(biao)1的(de)規(gui)定。對(dui)于(yu)采用外殼溫度(du)(du)Tc表(biao)示其(qi)工作溫度(du)(du)的(de)器件(jian)，如果環(huan)境(jing)溫度(du)(du)會引(yin)起芯片溫度(du)(du)超過200℃,老煉和壽命試驗(yan)(yan)時(shi)的(de)環(huan)境(jing)工作溫度(du)(du)可(ke)從125℃減少(shao)到某-一個溫度(du)(du)值而無需改變(bian)試驗(yan)(yan)時(shi)間。應(ying)能證(zheng)明在該環(huan)境(jing)溫度(du)(du)下芯片在175℃到200℃之間，Tc等于(yu)或(huo)大于(yu)125℃。應(ying)有(you)一組數據表(biao)明減小環(huan)境(jing)溫度(du)(du)的(de)合理性。
    3.1.1.2多芯片模(mo)塊器件(jian)的試驗溫度
    應按表1的(de)規(gui)定確定老煉(lian)(lian)時(shi)的(de)環境溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)或(huo)殼溫(wen)(wen)(wen)。但按殼溫(wen)(wen)(wen)老煉(lian)(lian)時(shi)至少應采(cai)用對(dui)(dui)該器(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)確定的(de)工(gong)作殼溫(wen)(wen)(wen)(Tc)。器(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)老煉(lian)(lian)時(shi)應采(cai)用詳(xiang)(xiang)細(xi)規(gui)范中(zhong)(zhong)規(gui)定的(de)工(gong)作溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)和(he)負載條件(jian)(jian)(jian)(jian)。由于在正常(chang)情(qing)況(kuang)下，殼溫(wen)(wen)(wen)和(he)芯片溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)明顯高于環境溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)，應該改進結構，使溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)不(bu)要超過詳(xiang)(xiang)細(xi)規(gui)范中(zhong)(zhong)規(gui)定的(de)額定芯片溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)和(he)聚合材(cai)料固化溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)。若未規(gui)定結溫(wen)(wen)(wen)，則取為(wei)175℃。不(bu)應采(cai)用加速老煉(lian)(lian)試驗。試驗時(shi)高溫(wen)(wen)(wen)烤(kao)箱中(zhong)(zhong)所有器(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)環境溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)或(huo)殼溫(wen)(wen)(wen)的(de)值不(bu)得小于規(gui)定的(de)試驗溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)。為(wei)了(le)保證這一條件(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)實現， 可(ke)對(dui)(dui)高溫(wen)(wen)(wen)烤(kao)箱的(de)內部結構、負荷、控制(zhi)或(huo)監測儀器(qi)的(de)放置位(wei)置，高溫(wen)(wen)(wen)烤(kao)箱內空氣或(huo)其他氣體的(de)流動或(huo)液體媒(mei)質等各(ge)方面作必(bi)要的(de)調整。
    3.2測量
    當(dang)有(you)規(gui)(gui)定時，或制造廠自愿時，應(ying)在施(shi)加老(lao)煉(lian)試(shi)驗條件(jian)前(qian)進行(xing)老(lao)煉(lian)前(qian)測(ce)試(shi)。老(lao)煉(lian)后測(ce)試(shi)應(ying)在器(qi)件(jian)移出規(gui)(gui)定老(lao)煉(lian)試(shi)驗條件(jian)后(即(ji)撤(che)除加溫或去除偏置)的(de)96h內完(wan)成。測(ce)試(shi)應(ying)包括全部25℃參(can)數(shu)測(ce)試(shi)和作為中間(老(lao)煉(lian)后)測(ce)試(shi)的(de)一部分而規(gui)(gui)定了(le)變化量極限的(de)全部參(can)數(shu)。當(dang)采用時，應(ying)根據這些測(ce)試(shi)確定參(can)數(shu)的(de)變化量極限是(shi)否(fou)超過了(le)允許的(de)范(fan)圍(wei)。無論對于常規(gui)(gui)老(lao)煉(lian)試(shi)驗或加
速老(lao)煉(lian)試驗，如果不能在(zai)96h內(nei)完成(cheng)這些測(ce)試，那么(me)在(zai)作老(lao)煉(lian)后的(de)測(ce)試之前器件應按原先的(de)老(lao)煉(lian)條件和原來采用的(de)溫(wen)度(du)至少再作老(lao)煉(lian)。
    3.2.1老(lao)煉后的(de)冷卻
    去除偏置(zhi)(zhi)前，所有器(qi)件(jian)(jian)應(ying)冷(leng)卻(que)到與(yu)室溫下器(qi)件(jian)(jian)加(jia)(jia)功(gong)率時處于穩(wen)定情況下的(de)溫度之間(jian)差(cha)別不(bu)超過10℃。為了(le)把器(qi)件(jian)(jian)轉移到與(yu)作老(lao)煉試驗的(de)工作室不(bu)在一處的(de)冷(leng)卻(que)位置(zhi)(zhi)而中斷偏置(zhi)(zhi)不(bu)超過lmin，不(bu)應(ying)看作去除了(le)偏置(zhi)(zhi)(在冷(leng)卻(que)位置(zhi)(zhi)處加(jia)(jia)的(de)偏置(zhi)(zhi)應(ying)與(yu)老(lao)煉時的(de)偏置(zhi)(zhi)相(xiang)同)。在重新加(jia)(jia)熱(re)器(qi)件(jian)(jian)之前應(ying)完成全部25℃的(de)參數測(ce)試。
    3.2.2試(shi)驗(yan)裝(zhuang)置監測
    應(ying)在試驗開始和(he)結束時(shi)，在試驗溫度下監(jian)測(ce)試驗裝(zhuang)置，從而證實全部器件已按規(gui)定要求(qiu)施加應(ying)力。以下是至少應(ying)進行的監(jian)測(ce)程序:
    a.器件插座(zuo)
    在開始使(shi)(shi)用(yong)插(cha)座時(shi)和(he)(he)以(yi)后至多每(mei)(mei)(mei)(mei)隔六(liu)個月(每(mei)(mei)(mei)(mei)六(liu)個月一-次(ci)或(huo)在六(liu)個月期(qi)(qi)間未(wei)使(shi)(shi)用(yong)，則使(shi)(shi)用(yong)前都應(ying)檢查每(mei)(mei)(mei)(mei)塊(kuai)試(shi)驗(yan)(yan)板(ban)或(huo)試(shi)驗(yan)(yan)座，以(yi)驗(yan)(yan)證(zheng)連接(jie)點(dian)的(de)連續性(xing)(xing)，從(cong)而保證(zheng)能把偏置(zhi)電壓(ya)和(he)(he)信(xin)號加到(dao)每(mei)(mei)(mei)(mei)個插(cha)座上(shang)。試(shi)驗(yan)(yan)板(ban)上(shang)用(yong)于(yu)穩定被試(shi)器(qi)(qi)(qi)件工作的(de)電容(rong)器(qi)(qi)(qi)和(he)(he)電阻器(qi)(qi)(qi)也(ye)應(ying)按此(ci)方式驗(yan)(yan)證(zheng)，以(yi)確(que)(que)信(xin)它們(men)能起(qi)到(dao)其應(ying)起(qi)的(de)作用(yong)(即不(bu)應(ying)出現(xian)開路(lu)或(huo)短路(lu))。除了這種初的(de)和(he)(he)定期(qi)(qi)性(xing)(xing)的(de)驗(yan)(yan)證(zheng)外，不(bu)必在每(mei)(mei)(mei)(mei)次(ci)試(shi)驗(yan)(yan)時(shi)逐個檢查器(qi)(qi)(qi)件或(huo)器(qi)(qi)(qi)件插(cha)座，但在使(shi)(shi)用(yong)每(mei)(mei)(mei)(mei)塊(kuai)試(shi)驗(yan)(yan)板(ban)前應(ying)采(cai)用(yong)隨機抽樣技術，這就可以(yi)保證(zheng)與被試(shi)器(qi)(qi)(qi)件電連接(jie)的(de)正(zheng)確(que)(que)性(xing)(xing)和(he)(he)連續性(xing)(xing)。
    b.試驗板或試驗座的連接(jie)件
    將器件(jian)裝入試(shi)驗(yan)(yan)板(ban)、插入高溫(wen)(wen)(wen)烤(kao)箱(xiang)并升(sheng)溫(wen)(wen)(wen)到(dao)溫(wen)(wen)(wen)度至少(shao)為125℃(若小于125℃，則為規定(ding)試(shi)驗(yan)(yan)溫(wen)(wen)(wen)度)的高溫(wen)(wen)(wen)烤(kao)箱(xiang)后(hou)，應至少(shao)在(zai)每塊試(shi)驗(yan)(yan)板(ban)或試(shi)驗(yan)(yan)座(zuo)的--個位置上驗(yan)(yan)證(zheng)要求的試(shi)驗(yan)(yan)信(xin)號,從而保證(zheng)在(zai)采用的試(shi)驗(yan)(yan)布局中(zhong)所使用的每條(tiao)連(lian)線(xian)或接插件(jian)均已正確施加了規定(ding)的應力并具有連(lian)續(xu)性。為進行這(zhe)種(zhong)驗(yan)(yan)證(zheng)允許打開高溫(wen)(wen)(wen)烤(kao)箱(xiang)不(bu)超過10min。
    c.在試驗(yan)過(guo)程(cheng)結(jie)束時，使(shi)器件降(jiang)低溫度(du)和撤除試驗(yan)條(tiao)件前，應重復上述b條(tiao)關于信號的驗(yan)證過(guo)程(cheng)。
    若在(zai)規定進行的(de)試(shi)(shi)驗時(shi)間(jian)(jian)(jian)內的(de)某(mou)段時(shi)間(jian)(jian)(jian)出現了導致必要的(de)試(shi)(shi)驗應(ying)(ying)力未能加到器件(jian)上去的(de)失效(xiao)或接(jie)觸開路時(shi)，應(ying)(ying)延(yan)長試(shi)(shi)驗時(shi)間(jian)(jian)(jian)以保證實際受(shou)應(ying)(ying)力作(zuo)用的(de)時(shi)間(jian)(jian)(jian)滿足規定的(de)少總試(shi)(shi)驗時(shi)間(jian)(jian)(jian)要求。若在(zai)老煉(lian)的(de)后8h 內，在(zai)溫度未變的(de)情況下(xia)，偏置(zhi)中斷(duan)的(de)總時(shi)間(jian)(jian)(jian)超過了10rain，就要求從(cong)后一(yi).次偏置(zhi)中斷(duan)時(shi)刻算起(qi)，至少再作(zuo)8h不中斷(duan)的(de)老煉(lian)。