適(shi)用范圍:  

該試(shi)驗檢查(cha)芯片長期貯存條(tiao)件下，高(gao)溫和(he)時間對(dui)器(qi)件的影(ying)響。本規范適(shi)用于量產芯片驗證測試(shi)階段的HAST測試(shi)需(xu)求(qiu)，僅針對(dui)非密封封裝(塑(su)料封裝)，帶(dai)偏(pian)置(zhi)(bHAST)和(he)不(bu)帶(dai)偏(pian)置(zhi)(uHAST)的測試(shi)。

簡介：

該(gai)試驗通過溫度、濕度、大(da)氣壓力加速條件(jian)，評估非密封封裝(zhuang)器件(jian)在上電狀(zhuang)態下，在高(gao)溫、高(gao)壓、潮(chao)濕環境中的(de)(de)可靠(kao)性。它采用了嚴格的(de)(de)溫度，濕度，大(da)氣壓、電壓條件(jian)，該(gai)條件(jian)會加速水分滲透(tou)到材料內(nei)部與(yu)金屬導體之間的(de)(de)電化學反應。

引用文件：

下列文件(jian)(jian)中(zhong)的(de)(de)條(tiao)(tiao)款通(tong)過本(ben)規(gui)范的(de)(de)引(yin)用(yong)(yong)(yong)而成為(wei)本(ben)規(gui)范的(de)(de)條(tiao)(tiao)款。凡是注(zhu)日(ri)期的(de)(de)引(yin)用(yong)(yong)(yong)文件(jian)(jian)，其隨后所(suo)有的(de)(de)修改單（不包括勘誤的(de)(de)內容）或修訂(ding)版均不適用(yong)(yong)(yong)于本(ben)規(gui)范，然而，鼓勵根據(ju)本(ben)規(gui)范達成協議(yi)的(de)(de)各方研究是否可使用(yong)(yong)(yong)這些文件(jian)(jian)的(de)(de)新(xin)版本(ben)。凡是不注(zhu)日(ri)期的(de)(de)引(yin)用(yong)(yong)(yong)文件(jian)(jian)，其新(xin)版本(ben)適用(yong)(yong)(yong)于本(ben)規(gui)范。

1.  HAST測(ce)試流(liu)程

2.  HAST測試條件(jian)
2.1 溫度、濕度、氣壓、測(ce)試時間  HAST試驗條件如下表所(suo)示(shi)：
? 通常選擇HAST高壓加速老化試驗箱RK-HAST-350，即：130℃、85%RH、230KPa大氣壓，96hour測試時間。
? 測(ce)(ce)試(shi)(shi)過程中，建(jian)議調試(shi)(shi)階段監(jian)控(kong)芯片殼溫、功耗數據(ju)推算(suan)芯片結溫，要保證結溫不能(neng)過 高，并在測(ce)(ce)試(shi)(shi)過程中定(ding)期記(ji)錄。結溫推算(suan)方法(fa)參考《HTOL測(ce)(ce)試(shi)(shi)技術(shu)規范》。
? 如(ru)果殼溫(wen)與環溫(wen)差值或(huo)者功耗滿足下表三種(zhong)關系時(shi)，特別是當殼溫(wen)與環溫(wen)差值超過(guo) 10℃時(shi)，需(xu)考慮(lv)周期性的電壓拉(la)偏策略。
? 注意測試(shi)起始(shi)(shi)(shi)時間是從環境條件達到(dao)規定條件后開始(shi)(shi)(shi)計(ji)算(suan)；結束時間為(wei)開始(shi)(shi)(shi)降(jiang)溫降(jiang)壓(ya)操 作(zuo)的時間點。
2.2 電壓拉(la)偏(pian)
uHAST測試(shi)不帶電壓拉偏，不需要關注(zhu)該(gai)節(jie)；
bHAST需要(yao)帶電壓拉偏，遵循以下原則：
(1) 所有電(dian)源上電(dian)，電(dian)壓：推薦操(cao)作(zuo)范圍電(dian)壓(Maximum Recommended Operating Conditions）
(2) 芯(xin)片功耗小(數字部(bu)分不翻轉(zhuan)、輸(shu)入晶振短(duan)接、其他(ta)降功耗方(fang)法(fa))；
(3) 輸(shu)入(ru)(ru)管腳在輸(shu)入(ru)(ru)電(dian)壓允許(xu)范圍(wei)內拉高。
(4) 其他管(guan)腳，如時鐘(zhong)端、復位端、輸出管(guan)腳在輸出范圍內隨機拉(la)(la)高或者(zhe)拉(la)(la)低(di)；
2.3 樣本量
3.  HAST設備
? 高(gao)溫、高(gao)壓、濕度(du)控(kong)制試驗箱（HAST高(gao)壓加(jia)速老化試驗箱）——溫度(du)、濕度(du)、氣壓強度(du)范圍可(ke)(ke)控(kong)，測試時間(jian)可(ke)(ke)控(kong)。
4.  失效判據
? ATE\功能(neng)篩片有功能(neng)失效、性能(neng)異常(chang)。
5.  HAST測(ce)試注意事項
? 測試過程要求(qiu)每(mei)天記錄電源電壓、電流、環境溫度、殼溫(推算結溫)等關(guan)鍵數(shu)據(ju)。
? 注意芯片內(nei)部(bu)模(mo)擬電(dian)(dian)路是(shi)否有上(shang)電(dian)(dian)默認開(kai)啟的模(mo)塊，這(zhe)樣的模(mo)塊會導致靜態電(dian)(dian)流太(tai)大(da)，引起其他機制的失效(xiao)。
? 調試過程注(zhu)意，考慮(lv)到(dao)較大的電(dian)流(liu)引起壓(ya)降，電(dian)壓(ya)等的記錄應該是到(dao)板電(dian)壓(ya)，而不是電(dian)源(yuan)源(yuan)端電(dian)壓(ya)。
? 調試過程注意，室溫條(tiao)(tiao)件下(xia)的電源電壓與規定要求下(xia)的電源電壓不同，可(ke)以(yi)在室溫下(xia)初調，待試驗環境到(dao)達HAST設定條(tiao)(tiao)件后做終調試。