MEMS器件冷熱沖擊試驗
作(zuo)者:
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編輯:
瑞凱(kai)儀器
來源:
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發布日期(qi): 2020.09.02
1、目的
本試驗的目的是確定MEMS器件在(zai)遭到溫度劇變(bian)(bian)時的抵抗能力,以及溫度劇變(bian)(bian)產(chan)生的作用。
2、設備
所用的冷熱沖擊試驗箱在加載負荷時,應能為工作區提供并控制規定的溫度。熱容量和液體流量必須能使工作區和負載滿足規定的試驗條件和計時要求。在試驗期間用指示儀或記錄儀顯示監視傳感器的讀數,來連續監視壞情況負載溫度。按驗證冷熱沖(chong)擊試驗箱工作特性的要求,驗證負載條件和配置下的壞情況負載溫度。用于條件B和C的過碳氟化合物應滿足表1的規定。
3、程序
樣品應放于冷熱(re)沖擊試(shi)驗箱中的合適位置,使液體在樣品周圍的流動不應受到阻礙,然后根據表2的規定,使負載進行條件B或其他規定的試驗條件進行15次循環。在完成規定試驗總循環數期間,為了進行器件批的加載或去載,或由于電源或設備故障,允許中斷試驗。然而,對任何給定的試驗,若中斷次數超過規定循環總次數的10%時,試驗必須重新從頭開始。
3.1 計時
從熱到冷(leng)或從冷(leng)到熱的總轉(zhuan)換時間不得超過10s。 當壞情況(kuang)負載(zai)(zai)溫(wen)(wen)度達到表2規定(ding)的極(ji),值(zhi)范(fan)圍內(nei)時,可以轉(zhuan)換負載(zai)(zai)。負載(zai)(zai)應在5min內(nei)達到規定(ding)的溫(wen)(wen)度,但停留時間不得少于2min。
3.2 檢驗
后(hou)(hou)一次循環完成之后(hou)(hou),不(bu)放(fang)大或(huo)(huo)放(fang)大不(bu)超過3倍(bei)對樣品標志進(jin)行外觀檢驗(yan),放(fang)大20~50倍(bei)對外殼、引線或(huo)(huo)封口進(jin)行目檢(當本(ben)試(shi)驗(yan)用于100% 的(de)篩選時至少應放(fang)大1.5倍(bei)進(jin)行檢驗(yan))。本(ben)項檢驗(yan)和任何補充規(gui)定的(de)測量及檢驗(yan),都應在后(hou)(hou)一次循環完成之后(hou)(hou)進(jin)行,如果某試(shi)驗(yan)組(zu)、步或(huo)(huo)分組(zu)包括本(ben)試(shi)驗(yan),則在該試(shi)驗(yan)組(zu)、步或(huo)(huo)分組(zu)完成之后(hou)(hou)進(jin)行。
3.3失(shi)效(xiao)判據
試(shi)驗后,任何規定的(de)(de)終點測量或(huo)檢驗不合格,外殼、引線或(huo)封口的(de)(de)缺陷或(huo)損壞跡象,或(huo)標志(zhi)模糊(hu),均(jun)應(ying)視為失效。試(shi)驗期(qi)間由于夾具或(huo)操作(zuo)不當(dang)造成(cheng)標志(zhi)損壞,不應(ying)影響器(qi)件的(de)(de)接收。